MOS管栅极浮空时的hspice模拟

一个0.13um工艺MOS管，S、D、衬底端接好电源，栅浮空或接电容，spice模拟发现栅极有一定电压，这用什么样的模型或原理可以解释？
补充一下，其实我是想知道在一个电路输入端的驱动电路poweroff时，输入端的不定态可能是怎么样的。
用hspice模拟，BSIM3 model，是否有参考价值呢？源漏端的电平是否可以耦合到栅极上呢？

难道不是仿真器给的？

补充一下，其实我是想知道在一个电路输入端的驱动电路poweroff时，输入端的不定态究竟是怎么样的。
用hspice模拟，是否有参考价值呢？源漏端的电平是否可以耦合到栅极上呢？

老大，我只是想说你是在做电路么？你咋不去做器件呢？
如果你真的非要解释，俺给一个，不知道对不对，假设各点初始电压为0
（Vg－Vb)×Cgb＋（Vg－Vd）×Cgd＋（Vg－Vs）×Cgs＝0

如果是Bsim3，那隧穿电流是没有考虑的
一般模拟器中遇到悬浮节点的处理方式是用一个很大的电阻（10^12）接地
至于计算出来的一定电压意义不大
如果是瞬态分析的话，我想栅电容应该有一定影响

嗯，多谢各位！
这样看来spice模拟这种情况看来不太靠普呀。
unkown状态终究是unkown。