请教一个关于lna的潜在稳定性问题
不需要在那么大的频率范围内稳定的...
我觉得那个在0-5GHz内稳定已经很足够了。
谢谢:-)我现在能做的就是保证源阻抗远离稳定圆以外...就是担心噪声什么的使得电路震荡，如果0<k<1是不是小心的匹配输入端就可以保证稳定性？
....呵呵，那就是应该在你的工组频段内保证k>1。。。
我还是觉得他的设计或者仿真方法有问题...电源地上的电感不应该有这么大的影响
可能负反馈的结构确实会带来稳定性的问题，但是bond wire对单端lna的影响确实很大，看了florida的一篇论文，结论是bond wire的电感值小于0.175nH时才可以保证stability,nf和gain的tradeoff,他是并了八个bond wire线down bonding到die下面的一块基准地上，再由四根bond wire到leap上
他用的就是普通的source degeneration结构，从里面的仿真结果来看，bond wire的点感植对性能影响极大，稳定性他没有给出仿真结果，只是给出了结论，我的仿真结果来看必须要小于0.1nH才能保证绝对稳定
这么夸张？那随便一个管脚引线电感都会超过0.175nH...
我是觉得是不是没必要管那么大频段内的k.
我现在就是希望这样......万一自激了烧掉芯片事小，烧掉仪器那干脆把我卖了...
那个产品能受的了这么多的I/O...源退化结构至少窄带应用对于电源地上的寄生电感是不敏感
放心吧，后者不可能，如果你要是做PA或者class-d小心点，做lna不可能的...
如果k不能保证大于1，尽量使之大于0.8
ps，这种问题又不是简单的课堂的project，为什么不和所里面几个老师讨论讨论，有几位水平还是很高的，
这种很实际的问题很是怀疑在这里是否能找到答案
呵呵仿真结果以及和别人的讨论结果也得到了这个感觉很郁闷的结论...
恩谢谢，因为是周末，所以想先在版上讨论下，有机会再跟老师请教，版上大牛还是很多的:-) 因为我们组射频方面经验不是很多，paper里这种细节别人又不屑跟你说，所以做的挺郁闷的
刚才又和同学讨论了下，从原先流片的源退化结构以及我们的仿真结果来看，bond线对性能以及稳定性的影响跟结构关系不大，就是说，不管什么结构，bond线电感影响都非常大，paper里说是因为bond线的影响隔离度变差...至于产品，我想可能现在全差分的结构比较多吧，至少对cmos而言
如果QFN封装的话这个不占pin脚的，直接downbond到地了
单端其实是比较敏感的，尤其是地上。所以multi bond实际上还是很管用
靠...你用的谁的频谱仪...
paper里其实单端的LNA也很多的啊...如果是因为匹配或者稳定性的关系，全差分也解决
不了什么问题...
bond线似乎会增加S12，然后会产生稳定性问题，第一级共源共栅的话会好一点...
我觉得其实很重要的一点就是保证电路能够在有一定寄生电感变化范围情况下都能工作，其他的能够本质上解决这些问题的方法似乎都不存在..
最关键德是你不可能利用到对地的这个寄生电感...
因为不准
所以只能把它当作误差限来容忍
要是发paper的话可以用这个，挑bond线，还有人把bond线打在两个pad之间，这个比较狠...
全差分因为不是对地的输入输出，应该好很多，第二句话严重同意
搭车问一下
平时说的到底是S12还是S21是增益？