怎么用MOS管实现二极管？
时间：12-11
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xulingjun (xulingjun) 于 (Thu Sep 15 10:14:53 2005) 提到:
我在做CMOS电路设计时,需要用到二极管,为了节省芯片面积,我就想到用MOS管来当作二极管,哪位以前这样用过的请指点一下,另外MOS管来当作二极管时,正向导通电压与MOS管的沟道长度和宽度有什么关系???谢谢大侠们
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QArk (SapphireSequenceDesign) 于 (Thu Sep 15 10:20:37 2005) 提到:
gated和rain接在一起
【 在 xulingjun (xulingjun) 的大作中提到: 】
: 我在做CMOS电路设计时,需要用到二极管,为了节省芯片面积,我就想到用MOS管来当作二极管,哪位以前这样用过的请指点一下,另外MOS管来当作二极管时,正向导通电压与MOS管的沟道长度和宽度有什么关系???谢谢大侠们
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xulingjun (xulingjun) 于 (Thu Sep 15 10:38:55 2005) 提到:
我试过但是怎么减小其正向导通电压啊?谢谢了
【 在 QArk (SapphireSequenceDesign) 的大作中提到: 】
: gated和rain接在一起
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QArk (SapphireSequenceDesign) 于 (Thu Sep 15 10:45:36 2005) 提到:
那就是减小Vth咯？工艺固定的话幅度不会太大吧，给bulk加个偏压，用body effect来调
【 在 xulingjun (xulingjun) 的大作中提到: 】
: 我试过但是怎么减小其正向导通电压啊?谢谢了
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depletion (耗尽层) 于 (Thu Sep 15 10:48:04 2005) 提到:
导通电压基本上就是阈值电压，而且受到衬偏效应影响，只能增大，不能减小。
【 在 xulingjun (xulingjun) 的大作中提到: 】
: 我试过但是怎么减小其正向导通电压啊?谢谢了
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xulingjun (xulingjun) 于 (Thu Sep 15 11:36:39 2005) 提到:
那一般的阈值电压数值是多大啊？我想用MOS管实现肖特基二极管（正向导通电压小），如果MOS的阈值电压太大的话那就不能用MOS管了
【 在 depletion (耗尽层) 的大作中提到: 】
: 导通电压基本上就是阈值电压，而且受到衬偏效应影响，只能增大，不能减小。
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depletion (耗尽层) 于 (Thu Sep 15 12:56:55 2005) 提到:
不同工艺值不一样。对于5V设计电源的数字电路而言，一般是0.7~1.0V。如果是低电压工作的电路，阈值电压也会小些，一般是电源电压的1/5~1/3。
不是正向导通电压小的二极管都可以称作肖特基二极管，也不是肖特基二极管都是正向导通电压小的，一个说的是I-V特性，一个说的是器件的工作原理。
如果工艺允许，可以直接用N阱和接触金属形成金半接触肖特基二极管。
【 在 xulingjun (xulingjun) 的大作中提到: 】
: 那一般的阈值电压数值是多大啊？我想用MOS管实现肖特基二极管（正向导通电压小），如果MOS的阈值电压太大的话那就不能用MOS管了
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vale (浅谷·等待溪流) 于 (Thu Sep 15 18:44:55 2005) 提到:
一般的NMOS VTH是0.6~0.8V，SBD是0.3~0.4V，很多工艺有LOW VTH管（阻挡VT调整注入的），0.2V左右或更低，可以试试，但寄生电容、导通电阻和反向漏电都大很多，高频的时候很难有好的效果。标准CMOS中可以用METAL和NWELL直接接触做SBD，但可能需要工艺或mask修改，效果也不好说。google一下可以找到些东西。
【 在 xulingjun (xulingjun) 的大作中提到: 】
: 那一般的阈值电压数值是多大啊？我想用MOS管实现肖特基二极管（正向导通电压小），如果MOS的阈值电压太大的话那就不能用MOS管了
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tohell (为仁不富) 于 (Fri Sep 16 11:12:36 2005) 提到:
肖特基二极管需要工艺支持才行，要特别调整的
不是随便接触一下就是肖特基势垒的
我不明白为什么一定要mos管接成二极管呢？直接控制gate让mos管通断不是更好吗
mos管开关的好处就是可以让导通电压很小，比肖特基的导通电压还小
【 在 vale (浅谷·等待溪流) 的大作中提到: 】
: 一般的NMOS VTH是0.6~0.8V，SBD是0.3~0.4V，很多工艺有LOW VTH管（阻挡VT调整注入的），0.2V左右或更低，可以试试，但寄生电容、导通电阻和反向漏电都大很多，高频的时候很难有好的效果。标准CMOS中可以用METAL和NWELL直接接触做SBD，但可能需要工艺或mask修改，效果也不好说。google一下可以找到些东西。
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vale (浅谷·等待溪流) 于 (Fri Sep 16 12:29:14 2005) 提到:
他可能是想做整流吧
【 在 tohell (为仁不富) 的大作中提到: 】
: 肖特基二极管需要工艺支持才行，要特别调整的
: 不是随便接触一下就是肖特基势垒的
: 我不明白为什么一定要mos管接成二极管呢？直接控制gate让mos管通断不是更好吗
: ...................
xulingjun (xulingjun) 于 (Thu Sep 15 10:14:53 2005) 提到:
我在做CMOS电路设计时,需要用到二极管,为了节省芯片面积,我就想到用MOS管来当作二极管,哪位以前这样用过的请指点一下,另外MOS管来当作二极管时,正向导通电压与MOS管的沟道长度和宽度有什么关系???谢谢大侠们
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QArk (SapphireSequenceDesign) 于 (Thu Sep 15 10:20:37 2005) 提到:
gated和rain接在一起
【 在 xulingjun (xulingjun) 的大作中提到: 】
: 我在做CMOS电路设计时,需要用到二极管,为了节省芯片面积,我就想到用MOS管来当作二极管,哪位以前这样用过的请指点一下,另外MOS管来当作二极管时,正向导通电压与MOS管的沟道长度和宽度有什么关系???谢谢大侠们
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xulingjun (xulingjun) 于 (Thu Sep 15 10:38:55 2005) 提到:
我试过但是怎么减小其正向导通电压啊?谢谢了
【 在 QArk (SapphireSequenceDesign) 的大作中提到: 】
: gated和rain接在一起
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QArk (SapphireSequenceDesign) 于 (Thu Sep 15 10:45:36 2005) 提到:
那就是减小Vth咯？工艺固定的话幅度不会太大吧，给bulk加个偏压，用body effect来调
【 在 xulingjun (xulingjun) 的大作中提到: 】
: 我试过但是怎么减小其正向导通电压啊?谢谢了
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depletion (耗尽层) 于 (Thu Sep 15 10:48:04 2005) 提到:
导通电压基本上就是阈值电压，而且受到衬偏效应影响，只能增大，不能减小。
【 在 xulingjun (xulingjun) 的大作中提到: 】
: 我试过但是怎么减小其正向导通电压啊?谢谢了
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xulingjun (xulingjun) 于 (Thu Sep 15 11:36:39 2005) 提到:
那一般的阈值电压数值是多大啊？我想用MOS管实现肖特基二极管（正向导通电压小），如果MOS的阈值电压太大的话那就不能用MOS管了
【 在 depletion (耗尽层) 的大作中提到: 】
: 导通电压基本上就是阈值电压，而且受到衬偏效应影响，只能增大，不能减小。
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depletion (耗尽层) 于 (Thu Sep 15 12:56:55 2005) 提到:
不同工艺值不一样。对于5V设计电源的数字电路而言，一般是0.7~1.0V。如果是低电压工作的电路，阈值电压也会小些，一般是电源电压的1/5~1/3。
不是正向导通电压小的二极管都可以称作肖特基二极管，也不是肖特基二极管都是正向导通电压小的，一个说的是I-V特性，一个说的是器件的工作原理。
如果工艺允许，可以直接用N阱和接触金属形成金半接触肖特基二极管。
【 在 xulingjun (xulingjun) 的大作中提到: 】
: 那一般的阈值电压数值是多大啊？我想用MOS管实现肖特基二极管（正向导通电压小），如果MOS的阈值电压太大的话那就不能用MOS管了
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vale (浅谷·等待溪流) 于 (Thu Sep 15 18:44:55 2005) 提到:
一般的NMOS VTH是0.6~0.8V，SBD是0.3~0.4V，很多工艺有LOW VTH管（阻挡VT调整注入的），0.2V左右或更低，可以试试，但寄生电容、导通电阻和反向漏电都大很多，高频的时候很难有好的效果。标准CMOS中可以用METAL和NWELL直接接触做SBD，但可能需要工艺或mask修改，效果也不好说。google一下可以找到些东西。
【 在 xulingjun (xulingjun) 的大作中提到: 】
: 那一般的阈值电压数值是多大啊？我想用MOS管实现肖特基二极管（正向导通电压小），如果MOS的阈值电压太大的话那就不能用MOS管了
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tohell (为仁不富) 于 (Fri Sep 16 11:12:36 2005) 提到:
肖特基二极管需要工艺支持才行，要特别调整的
不是随便接触一下就是肖特基势垒的
我不明白为什么一定要mos管接成二极管呢？直接控制gate让mos管通断不是更好吗
mos管开关的好处就是可以让导通电压很小，比肖特基的导通电压还小
【 在 vale (浅谷·等待溪流) 的大作中提到: 】
: 一般的NMOS VTH是0.6~0.8V，SBD是0.3~0.4V，很多工艺有LOW VTH管（阻挡VT调整注入的），0.2V左右或更低，可以试试，但寄生电容、导通电阻和反向漏电都大很多，高频的时候很难有好的效果。标准CMOS中可以用METAL和NWELL直接接触做SBD，但可能需要工艺或mask修改，效果也不好说。google一下可以找到些东西。
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vale (浅谷·等待溪流) 于 (Fri Sep 16 12:29:14 2005) 提到:
他可能是想做整流吧
【 在 tohell (为仁不富) 的大作中提到: 】
: 肖特基二极管需要工艺支持才行，要特别调整的
: 不是随便接触一下就是肖特基势垒的
: 我不明白为什么一定要mos管接成二极管呢？直接控制gate让mos管通断不是更好吗
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