DDR3 地址组VTT上拉等长的问题？

最近在布一个DDR3的片子，以前使用的都是LPDDR，可以不用VTT上拉，直接所有线组等长即可。
现在使用的DDR3的片子追求质量要求VTT上拉，我已经把所有的线都做了等长，最后把地址组的都接到VTT上拉上，接好后再将地址组的十多根线等长，不知道这样行不行?
还有我的DDR的数据组和时钟组都是870mil，地址组本来也是870mil，由于要接上拉电阻T型走线，线长了变为了1040mil。，不知道这样可以不?内存是海力士的DDR3 800M！
大家讨论一下吧！
下面是我画的各层走线，底层左下角有几个组派就是VTT的上拉电阻。我是把所有的线都等长完了，再画的VTT上拉。打算随便找个地址组上面的过孔就往VTT电阻上面连，连接完了再做地址组等长，不知道可行不?还有地址组比其他组长可行不?

给点意见吧，各位！

1、接好后再将地址组的十多根线等长，不知道这样行不行?  接上VTT后不用再等长了。

VTT不等长可以的，可以改write leveling。

只要到SDRAM的pin上登长就可以了，pin之后再接VTT，这段走线不等长没关系。
其实对于DDR3信号来说，主要是CPU到SDRAM之间等长，他们俩之间等长了，时序就对上了。VTT的作用是，当信号为"1"时，电流从1.5V电源经过上MOS流入VTT，而当信号为“0”时，电流从VTT经下MOS流入VSS。

我理解就是CPU到内存的传输时间一样就行，VTT上拉可以理解为中间的一个分叉，不影响CPU到内存信号走线的长短，最好是把VTT上拉的分叉也给等长了！网上有个说法是VTT的分叉尽量靠近内存，尽量短，不知道有没有这个说法?

是的，VTT尽量靠近SDRAM端，这样可以减少stub，而且在最末端接VTT，这样的影响就要小很多。

上拉后还需要等长吗?没上拉之前已经做了地址组等长！

感觉你这个800M数据率应该没问题.如果800M是时钟频率的话建议还是稍微优化一下.
1.数据线最好同层,不知道你的MCU芯片是什么,怎么这么乱,都不做DEMO的吗?还是你这边需要优化一下;
2.DDR3数据和地址需要不需要做等长,主要看你的芯片本身支不支持leveling功能;如果不支持在500mil内都没问题,当DDR2来做;  stub肯定越短越好了; 上拉那段越短越好,小于500mil; VTT处加0.1uf电容若干;
3.其它实在没什么要注意的了,因为你只是1驱1;很难出问题的.不过我是觉得地址线的上拉完全没有必要,物料成本会降很多.看样你们的产品应该不会批量..

个人感觉只要地址线自己等长就OK了！
Data走线每个Byte控制等长；

感謝分享~~