DDR3大牛进

一块嵌入式板子，电源等问题已经排除。DDR3的时钟DDR_clk 600+M时系统崩溃，且必现，调整到400+M时系统稳定工作，LAYout各项等长都做的很好，电源分割什么的和人家的DEMO板都一样，刻就是出问题呀，这个怎么破，还有啥可以调的，请大牛给个指导啊，一个半月了
忘了跟大家说以下情况，系统崩溃之发生在跑业务的时候（大量数据读写），不跑业务的时候不会崩溃

1: 看看ODT是多少? 一般建议ODT60,或120
2: 2T模式打开，如果是地址出现时序的问题，2T模式会有帮助
3：自己的芯片，还是别人的芯片。自己的就要看IC内部设计是否有问题了！

就是跑不了高速率嘛。SI 或者PI问题
1、查一下信号质量问题，是否过冲太大。附上图片。
2、时序，等长，结合眼图
3、电源噪声。也附上图片吧

等长数据表我就不贴出来了
电源我们用台式串联稳压电源替代过，应该不会有问题
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DDR_DQ0波形

地址线DDR_A0走线

地址线DDR_A0波形

DDR_DQS0波形

DDR_DQS0走线

ddr_clk0走线

ddr_clk0波形

DDR_DQ0走线

贴的图顺序被打乱了，好像没法调整
我把波形图整合到一起，如图

系统崩溃后，地址线A0上的信号就没有了，但是CLK、DQS、DQ信号都还在

DDR3一般建议地址线走Fly-By，而且要有终端VTT匹配。如果走T型拓扑，VTT匹配应当放在T点处。
曾经把DDR3走成T型拓扑，VTT匹配放在T点处，时钟频率只能到400mhz，再往上就跑不起来了。
当然，不同IC的要求不尽相同。

我们的是T型的，不过这个应该没有问题的，之前在别的板子上已经屡试不爽了（同一个IC的解决方案），600+M跑的哗哗的，从来没有出过问题

如有 Layout 檔案，也許看看可以给你一點意見。
信號要這麼量，你量的電壓峰值有點小，DQ 信號也沒在 VDDQ/2 中間，怪怪！

大家看一下我们的电源分割，图中高亮的铜皮是1.0V核心电压，左边是DCDC，右边是终端，紫色部分被割到第3层了，绿色部分在电源层，4片DDR被包围在里面。一致觉得这个不是很合理（这个我没办法），大家觉得会影响那么大么?

想知道是不是电源的原因，有一个办法。
1、你跑一下正常的速率，然后测一下1.5V的电压波动范围。一般在1.425V~1.575V之间是正常
2、你跑一下不正常的速率，然后测一下1.5V的电压波动范围。如果1.425V~1.575V间，可以排除1.5V电源的因素；如果在1.425V~1.575V之外，那电源是因素之一，这个时候要多加点电容，把电压范围调整到1.425V~1.575V间，看看跑不跑得起来。
个人意见……

都是牛人啊学习了

上传了叠层文件

Hi,Lkzui
For your reference.

honejing:
昨天切割了下铜皮，貌似不是这个问题

一點速度上的改進都沒有嗎?仿真可以看出這片 GND plane 在一些頻點有2xx mV 的電位差。
若不行只能實際量一些信號在判斷，可以先看寫DRAM 的 DQS/DQSB, Clock 對相位差。
另外要設法知道是寫錯或是讀錯?
或找出哪一個 DRAM 先錯，再抓問題。