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挑战台积电!格罗方德强攻14奈米,明年试产

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

晶圆代工厂格罗方德(GlobalFoundries)来台呛声,全球营销暨业务执行副总裁Michael Noonen表示,已正式推出结合14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程的14nm-XM技术,协助客户加快行动装置芯片上市时间。格罗方德指出,14nm-XM将于2013年提供客户投片,2014年可量产投片,要与台积电的16纳米FinFET制程一较高下。



     台积电日前变动了技术蓝图,28纳米之后的20纳米研发已经接近尾声,2013年就可进入量产,2014年将进行大规模扩产,而原本20纳米之后的14纳米已经取消,改成较符合客户需求的16纳米制程。台积电在16纳米只提供一种通用型制程,并首度导入3D架构的FinFET晶体管制程,投产时间预计在2015年。
     为了与台积电相抗衡,格罗方德全球营销暨业务执行副总裁Michael Noonen来台宣布,针对新一代行动装置芯片开发的14nm-XM技术已完成开发,采用3D架构的FinFET晶体管制程,并将领先同业在2014年就投入量产,与台积电较劲意味浓厚。
     格罗方德表示,14nm-XM采用模块化的技术架构,结合了14纳米FinFET元件与即将量产的20纳米20nm-LPM制程技术,客户能够以最快速度,运用20nm-LPM技术转移使用14nm-XM技术,相关的芯片试产已经开始在格罗方德位于纽约萨拉托加郡的晶圆8厂测试,初期制程设计套件现已开始提供,并预计将于2013年提供客户产品投片,2014年可望导入量产。
     Michael Noonen表示,格罗方德的前身是超微的晶圆制造事业,投入FinFET研发已超过10年时间,以此为基础可加快FinFET制程的量产。格罗方德制定了一套新的技术定义方法,并以此开发出具成本效益且低功耗的14nm-XM技术,除了制造便利性及设计方便性,亦可让设计者重复使用前一代产品中部分的矽智财。
     格罗方德近期也积极争抢订单,除了已拿下高通28纳米手机芯片订单,据传也成功向联发科招手,并计划由联电手中抢得更多德仪OMAP处理器代工订单。另外,格罗方德对绘图芯片代工订单也兴趣浓厚,希望能在明年成为辉达(NVIDIA)的主要代工厂之一。

成功的三大原则是:
第一,要坚持
第二,不要脸
第三是,要坚持不要脸
难怪Mike Noonen能持续青云直上

强烈要求Calabazas 透漏一些内幕消息。

只要知道他是那种"真的"吃人不吐骨头,翻脸如翻书的,就行了
想要亲身体验,找他立即见效
无从互利的共事,避之即大吉大利

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