DRAM 测试思路

刚看了一个老文档，虽然老，但是有点收获。以前测试有点盲目，但读了之后似乎有点头绪。结合最近几年的发展有几点体会分享：
内存测试内容需要考虑产品阶段和测试成本。
考虑产品阶断主要是需要知道测试用例可以发现什么问题。
产品设计阶段，
SI仿真，也算作一种测试用例，可以发现阻抗问题，端接问题，fast slow下的时序余量，成本低。
产品验证阶段，
示波器测试，发现低级时序错误，尽快解决，解决之后不会影响下面的软件工作，解决之后也可以有比较高的信心进入stress测试，减小出问题的机会也就是节省了时间；发现过冲问题，作为对si仿真的一种验证，同时过冲问题不会引起stress测试失败。示波器测试成本高，但在产品测试阶段必须。
stress测试，最核心的测试，也可以叫4-conner 测试，高温/高压，低温/高压，高温/低压，低温/低压 四种情况，发现因为温度和电压变化引起的时序要求变化导致问题，发现因为功耗引起的电源问题和时序问题。成本低。
power cycle测试，高低温情况下测试，分为冷起和热启，主要测试有无电源爬升问题和内存初始化问题。成本低。
产品维护阶段，ram die shrink 和器件替代/多供应商问题，
实验室用stress测试和power cycle测试。感觉还应该做一下至少50块办卡的工厂小批量测试，工厂只做boot和已有的内存测试。
其实还是应该和软件好好沟通一下内存mr0-3的设置，一般这些兄弟都是用demo的代码。还有其实最好研究一下系统内存速度真正的需求，使用合适速度芯片，用合适的设置才能达到成本和稳定性的均衡。
这些东西已经被大家嚼得烂了，发出来纯自娱自乐。

小编这其实不仅仅是DRAM的测试，应该是大多数产品的一个设计和验证思路。DRAM的发展非常快，但是出现问题的几率也非常的大

最后讲的是bandwidth测试，bandwidth的评估与优化还很复杂。

学习了