晶体管开关读写SRAM存储器

    在四种常用晶体管开关电路（2种NMOS，2种PMOS）一文中，介绍了晶体管构成的开关电路。这里我们使用所述开关电路，搭建存储器编程开发环境，读写国产Lyontek的SRAM芯片：LY62L5128。国产的存储器好像比较少，支持一下。
    一，LY62L5128 CMOS SRAM
    静态存储器（SRAM）是由静态存储单元和其读写控制电路组成的记忆体电路，对此的详细内容在四个晶体管搭建静态存储单元，加两个晶体管搭建写控制电路一文中。LY62L5128是一个CMOS SRAM。容量512KB（512K X 8 BIT）。因此有19位地址线（A0~A18）和8位数据线（称作DQ0~DQ7）。如图：
   

    其中，引脚No.22（CE#）为“片选”（Chip Enable），引脚No.24（OE#）为“输出使能”（Output Enable），引脚No.29（WE#）为“写使能”（Write Enable）。全部是低电平有效。
    VCC和VSS分别是参考电源和参考接地。其余27个引脚接地址线和数据线。
    二，MOS 晶体管开关电路
    回顾四种常用晶体管开关电路（2种NMOS，2种PMOS）一文中，1.2和2.2节所述NMOS和PMOS两种低使能开关电路，如图：
   
   

    三，存储器编程开发环境
    以NMOS开关电路为例，将其与LY62L5128连接，搭建存储器编程开发环境，如图：
   

    按钮SW-PB：S1，S2，S3，分别通过MOS晶体管开关电路，连接到LY62L5128的控制引脚WE#，OE#，CE#。
    因为MOS晶体管开关电路是低电平有效，LY62L5128的控制引脚也是低电平有效，所以按下相应开关即可“使能”相应控制引脚。2N3906和2N3904共同使用达到上拉功能。

    四，LY62L5128 读写
    简单起见这里示范仅读写一个BIT位：将地址线和数据线全部固定为一电平，对DQ0进行读写。
   
    4.1 LY62L5128 写
    根据LY62L5128写周期的波形图（请参考LY62L5128芯片手册），可以得到控制引脚电平的一个可行波形：
            CE#低 -> WE#低 -> DQ0写 -> WE#高 -> CE#高
    因此有对应按钮按键顺序：
            S3按住 -> S1按住 -> DQ0写 -> S1弹起 -> S3弹起
    DQ0可接参考接地或参考电源以写入0或1。

    4.2 LY62L5128 读
    然后可以读取刚才写入的BIT位。根据读周期的波形图（请参考LY62L5128芯片手册），可以得到可行波形：
            CE#低 -> OE#低 -> DQ0读 -> OE#高 -> CE#高
    因此有对应按钮按键顺序：
            S3按住 -> S2按住 -> DQ0读 -> S2弹起 -> S3弹起
    DQ0可接一个LED以显示读取的0或1。

    至此已经实现了在所搭建的存储器编程开发环境中读写一个BIT位的功能。

支持国产 Lyontek，再发一张实物图！

左下角纸上写的是管脚名称。面包板右侧三个开关分别是：WE，OE和CE。
OE（Output Enable）是 Lyontek 的输出使能引脚。输出时需要将OE置为低电平。同时因为静态存储器输出时会消耗一定的电量，因此读取完毕后应该将OE重置为高电平。这一点可以起到节能作用，适用于对电池使用效率要求特别高的应用。

写波形图。

读波形图。

更加详细的信息请参阅“LY62L5128”芯片手册。