四个晶体管搭建静态存储单元，加两个晶体管搭建写控制电路

    自己动手搭建电路可以发现许多有趣的东西。今天为大家带来的是“静态存储单元”及其“写控制电路”的搭建。
    “静态存储单元”是构成“静态存储器”（SRAM）的最基本单元。其中每一个BIT存储在4个晶体管构成的2个交叉耦合的反相器中。而另外2个晶体管作为“写控制电路”的控制开关。
    有趣的是，搭建这个电路需要严格对称。这表示面包板上左右两侧对应位置的走线距离必须完全一致，才能达到最好效果。
    如图：

    再来一张实物图：

    下面的大面包板是“静态存储单元”，由晶体管Q1~4组成，上面的小面包板是“写控制电路”，由晶体管Q5、Q6组成。至此“静态存储单元”及其“写控制电路”论述完毕。
    手绘和电路制作一样需要热情和细心。赠送一张手绘图片给大家！
    图为《哪吒大闹东海之一》

走线方式都有要求。元器件更得精挑细选哦。

用同一长度线走线。减少交叉多用并行。没问题的。

杜邦线连线好像暂时不必考虑电容耦合和电感耦合。

电路图中的Q5，Q6的发射极是不是分别接在Q3，Q4的集电极上?

确实，忘了点了。就在这儿加以说明。感谢你！

这个应该是基极呀            

基极和集电极都要接发射极。再画一张图：

原图已修订。

加油哦！

天行健！

哪吒大闹东海之一动画二

元宵节快乐！
花灯高挂红满天，
彩绸招张映红颜。
人迎春季春盛万，
春满人间人团圆。

小伙子，你不能发一些与题目无关的图呀，小心失足落入小黑屋.

可是我又没犯错，他为什么要关我呢。

那我发一个有关的。

小小鹿骑人

静态存储器单元与反相器的关系。
反相器由一个 NMOS 和一个 PMOS 组成。

反向器波形图。

显然，2个反相器交叉耦合，就是前述的静态存储器单元了。

静态存储器单元波形图。

实测数据。

温度情况。