推进SoC微细化至10nm工艺 无需3D晶体管

SoC(systemonachip)是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体(ST)已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技术。

如果采用FDSOI技术，无需使晶体管立体化便可继续推进SoC微细化至10nm工艺左右。由于可以沿用原有半导体制造技术和设计技术，因此无需很多成本即可继续推进微细化(图1)。对于希望今后仍长期享受SoC微细化恩惠的设备厂商等来说，这将是很好的选择。

在成本和性能方面优于FinFET

FDSOI是用很薄的氧化膜(buriedoxide：BOX)将晶体管的管体(沟道)和Si基板隔开，将管体减薄至几nm厚，从而使沟道完全耗尽的技术(图2)注1)。这与沟道立体化以使其耗尽的三维晶体管(FinFET)一样，能够有效抑制随着栅极长度变短、漏电流增大的短沟道效应。

注1)沟道耗尽是指变成电子和空穴等载流子基本不存在的状态。

FinFET不具备而FDSOI具备的优点是能够跟原来的BulkCMOS技术一样保持平面晶体管的构造。FDSOI与FinFET相比，"制造工序减少，工艺成本大幅降低，还能直接沿用BulkCMOS的设计技术"。

制造FDSOI需要比Si基板贵的SOI基板，因此制造成本与BulkCMOS差不多。能使用原有设计技术是与需要大幅改变设计工具和电路布局的FinFET最大的区别。因为能减小电路设计方面的限制，集成度也容易提高。

意法半导体将采用FDSOI技术使平面构造的晶体管延续到10nm工艺。2014年将量产14nm工艺技术，2016年将量产10nm工艺技术。

采用FDSOI技术的晶体管能够沿用BulkCMOS技术使用的很多制造工艺和设计技术(a)。工作性能超越BulkCMOS，驱动电压低时性能尤为出色(b)。

在工作速度和耗电量等性能方面，意法半导体的Magarshack认为"FDSOI比FinFET更有优势"。FinFET随着沟道的立体化，寄生电容增大，工作速度容易降低，而FDSOI可以避免这一问题。另外，除栅极电极侧以外，还可通过超薄的BOX层由基板侧动态施加偏压，因此阈值电压的控制性好。在驱动电压低、容易出现阈值电压偏差问题的移动产品用SoC中，这一特点可以充分发挥作用。

确立管体膜厚的控制技术

不过，FDSOI在量产时间上落后于FinFET。美国英特尔已从2012年在22nm工艺微处理器中采用了FinFET，台湾台积电(TSMC)等代工企业也准备在2014年开始量产的16～14nm工艺中采用FinFET。

FDSOI原来面临的课题是很难控制只有几nm的管体厚度。由于管体厚度是决定阈值电压等晶体管特性的参数，因此每次技术更新换代，都要减薄厚度。随着微细化的发展，技术难度加大，难以进一步减薄。