石墨烯在高频领域的研究现状及发展趋势

。欧洲石墨烯项目是一个4年期的研究计划，需要欧洲范围内广泛而有深度的合作。该项目主要研究领域包括石墨烯物理性能、机械和电子-机械性能、化学修饰，以及寻找设计石墨烯电子特性的新方法和制备以石墨烯为基础的功能应用器件。

德国科学基金会(DFG)于2009年7月宣布开展石墨烯新兴前沿研究项目，项目时间跨度为6年。该项目的目标是提高对石墨烯性能的理解和操控，以建立新型的石墨烯基电子产品。基金资助领域主要包括：石墨烯基电子设备的制备；石墨烯电子、结构、机械、振动等性能表征与操控；石墨烯纳米结构制备和表征及性能操控；石墨烯与衬底材料、栅极材料相互作用的理解和控制；输运研究(如声子和电子传输、量子传输、弹道输运、自旋输运)、新型装置示范(如场效应器件、等离子器件、单电子晶体管)以及石墨烯的理论研究(如石墨烯电子和原子结构、电子声子运输、自旋、石墨烯机械和振动性能、纳米结构、器件模拟)等。

英国工程和自然科学研究委员会(EPSRC)资助了石墨烯基自旋器件模拟项目，项目承担机构为兰卡斯特大学，项目研究时间跨度为2010年1月1日至2012年12月31日，资助额度为4.9万英镑。EPSRC还资助了石墨烯基晶体管传输模拟项目，项目承担机构也为兰卡斯特大学，时间跨度为2007年10月23日至2010年8月22日，资助额度为19.8万英镑。2014年10月 英国财政大臣奥斯本宣布英国将投资6000万英镑在曼彻斯特大学成立石墨烯工程创新中心（GEIC），打造新的尖端石墨烯研究设施，以开发和维持英国在石墨烯及有关2-D材料方面的世界领先地位。

2014年欧盟未来新兴技术（FET）石墨烯旗舰计划发布了首份招标公告和科技路线图，介绍了拟资助的研究课题和支持课题，以及根据领域划分的工作任务，每项课题都涉及多项工作任务。根据路线图，石墨烯旗舰计划将分两阶段进行：初始热身阶段（2013年10月1日至2016年3月31日，共资助5400万欧元）和稳定阶段（2016年4月开始，预计每年资助5000万欧元）。主要研究课题包括：面向射频应用的无源组件、GRM与半导体器件的集成、高频电子学、柔性电子学、硅光子学的集成、光电子学。

部分研究进展

2009年：意大利的科研人员成功地用石墨烯制造了首枚包含两个晶体管的集成电路，它拥有简单的计算能力，标制着碳基电子学时代的到来。这枚只有两个晶体管的集成电路虽然很小，却是向制造碳基高性能电子器件迈出的重要一步。

2012年1月：瑞典查尔姆斯理工大学（Chalmers Universityof Technology）宣布利用一个石墨烯晶体管（GFET）便制造出了用于微波用途的次谐波混频器。次谐波混频器是从RF信号直接输出基带信号（直接转换方式）或者输出低IF（中频）信号（低IF方式）的常用混频电路之一。LO的频率为fLO、RF信号的频率为fRF时，被输出的IF信号的频率为|fRF－2fLO|。此次制造的次谐波混频器在fRF为2GHz、fLO为1.01GHz时，输出|fRF－2fLO|＝20MHz的IF信号。

2014年2月：由欧盟第七研发框架计划（FP7）提供全额资助、瑞典查尔姆斯理工大学（Chalmers University of Technology）伽里.基纳瑞（Jari KINARET）教授领导的欧洲AUTOSUPERCAP研发团队，利用最新的石墨烯（Graphene）材料技术制作出创新型的大功率超级电容器（Supercapacitors）。

2015年5月：英国曼彻斯特大学的科学家们宣布已经找到一种利用石墨烯打印出天线的方法。利用压缩石墨烯墨水打印出的天线不仅灵活、环保、价格低廉，还可大批量生产，能够应用在射频识别（RFID）标签和无线传感器上。该成果发表在最近一期《应用物理快报》上。

2015年11月：德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫(HZDR)研究中心的科学家通过在SiC上一个微小的片状石墨烯加上天线，开发出一种新的光学探测器。据称，这种新型探测器可以迅速的反射所有不同波长的入射光，并可在室温下工作。这是单个检测器首次实现监测光谱范围从可见光到红外辐射，并一直到太赫兹辐射。

日本

日本学术振兴机构(JST)2007年就开始了对石墨烯硅材料/器件的技术开发项目的资助。该项目的负责机构为日本东北大学。该项目主要是开发"石墨烯硅"材料/工艺技术，并在此基础上开发先进的辅助开关器件(CGOS)和等离子共振赫兹器件(PRGOS)。这项研究将能实现电荷传输无时间、超高速、大规模集成的器件技术。

2008年6月日本东北大学电通信所末光真希教授将SiC在真空条件下加热至1000多度，除去硅而余下碳，通过自组形式形成单层石墨烯。末光教授的团队通过控制SiC形成时的结晶方向和Si衬底切割的结晶方向，得到了100×150平方微米面积的两层石墨膜，其晶格畸变