Yole：2016～2020年氮化镓射频市场规模将扩大至2倍

近日，法国著名咨询公司Yole在名为《2016～2020年氮化镓（GaN）射频市场：应用、企业、技术和衬底》的报告中预测，2016～2020年GaN射频器件市场将扩大至目前的2倍，市场复合年增长率（CAGR）将达到4%；2020年末，市场规模将扩大至目前的2.5倍。

2015年，受益于中国LTE网络的大规模应用，带来无线基础设施市场的大幅增长，有力地刺激了GaN射频产业。2015年末，整个GaN射频市场规模接近3亿美元。2017～2018年，在无线基础设施及国防应用市场需求增长的推动下，，GaN市场会进一步放大，但增速会较2015年有所放缓。2019～2020年，5G网络的实施将接棒推动氮化镓市场增长。

GaN应用领域包括军事和宇航、无线基础设施、卫星通信、有线宽带，以及其它ISM频段应用。

GaN最初是为支持政府军事和太空项目而开发，但已得到商业市场的完全认可和应用，在无线基础设施领域的应用已超越国防应用，市场占比超过GaN市场总量的一半以上。随着对数据传输及更高工作频率和带宽需求的增长，2016～2022年无线基础设施领域的CAGR将达到16%。在未来的网络设计中，如载波聚合和大规模MIMO等新技术的发展应用，将使GaN比现有横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）更具优势。

但与此同时，国防领域仍将是GaN不可忽视的重要应用市场，并保持稳定增长。GaN在国防领域的应用主要包括IED干扰器、军事通讯、雷达、电子对抗等。GaN将在越来越多的国防产品中得到应用，充分体现其在提高功率、缩小体积和简化设计方面的巨大优势。

GaN领域的企业包括美国的美高森美（Microsemi）、M-A/COM、Qorvo、雷声、诺格、Wolfspeed、Anadigics，荷兰Ampleon和恩智浦（NXP），德国UMS，韩国RFHIC，日本的三菱（Mitsubishi）和住友（Sumitomo）。（注：科锐Cree2015年9月3日宣布将把旗下的功率和射频部门更名为Wolfspeed）。

下一步，碳化硅基GaN技术（GaN-on-SiC）和硅基GaN技术（GaN-on-Silicon）将继续并行发展。目前，GaN-on-SiC占GaN商用器件总量的95%以上，成熟度远高于GaN-on-Silicon。但GaN-on-Silicon将对成本敏感的应用领域形成吸引力，如LTE、卫星通信终端、有线电视和射频能量收集等，并对GaN-on-SiC市场形成挑战。