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新材料拉动RF功率器件市场

时间:01-29 来源:国防科技信息网 点击:

    据ABI Research网站1月26日报道 虽然RF(射频)功率半导体在无线基础设施市场仍处于停滞状态,但在其他市场,尤其是军品市场,形势已开始好转。据美国市场研究机构ABI Research最新报告指出,GaN(氮化镓)作为未来很有潜力的RF功率器件制备材料,将进一步获得市场认可。

    GaN兼具GaAs(砷化镓)的高频性能和硅基LDMOS器件的功率处理能力,现已成为主流技术,取得了一定市场份额,并将在未来市场中占有一席之地。

    不同于无线基础设施市场,军品市场的RF功率器件交易表现出强劲上扬的态势。虽然生产商集中在几个主要工业化国家,但随着军品市场的全球化,买方可来自世界各地。

    RF功率器件是指频率达到3.8GHz且输出功率在5W以上的半导体器件,可以满足现有大部分应用需求。

    (工业和信息化部电子科学技术情报研究所 陈 思)

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