美国Wolfspeed的氮化镓射频器件满足NASA宇航标准

美国Wolfspeed公司宣布其碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）射频功率晶体管完成性能测试，符合美国国家航空航天局（NASA）卫星和宇航系统所需可靠性标准，证实Wolfspeed的GaN-on-SiC制造工艺具有行业领先水平的可靠性和性能。

为了检验性能，Wolfspeed联合美国KCB解决方案公司进行了全面的测试，证实Wolfspeed的GaN-on-SiC器件满足NASA EEE-INST-002中1级可靠性和性能标准，该标准来源于美军表标（MIL-STD）对S和K等级质量的要求，包括对静电放电（ESD）的评估、固有可靠性、扫描电镜分析和抗辐射测试等。

被测试器件型号是Wolfspeed的25W GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）CGH40025F和25W 2阶X波段GaN微波毫米波单片集成电路（MMIC）CMPA801B025F，均采用Wolfspeed的0.4µm G28V3制造工艺制造。测试过程包括5个测试步骤。经过所有测试步骤后，两个型号器件的射频性能均未出现明显的改变，包括暴露在累计辐射剂量超过1Mrad的情况下。

实验结果表明，Wolfspeed的GaN-on-SiC技术可提供比使用传统行波管（TWT）放大器或使用砷化镓（GaAs）器件更小、更轻、更高效、更可靠的固态功率放大器；Wolfspeed的GaN制造工艺能够生产满足所需可靠性标准的产品；可用于多个重要宇航、军事和卫星电子系统中，将显著减轻载荷重量，带来更高性能、更长寿命的雷达和通信系统。

背景信息

Wolfspeed是Cree公司功率和射频分部的名称，独立运营，拥有世界上最大的SiC和GaN功率和射频器件生产厂，拥有10级、100级和1000级净化间生产线，是国防部认证的"可信供应商"之一，获得制造成熟度8级（MRL 8）认证。

KCB解决方案公司以军事和宇航应用为目标市场，主要提供射频和微波半导体封装设计、从圆片中测开始的后道封装、测试和检验等。生产厂获AS9100等级C、ISO 9001:2008等认证。封装形式主要包括QFN、密封SMT、密封Flatpack、分立封装、功率封装和LCC/HTCC等，检测能力包括大/小信号射频（直流～40GHz）、直流参数、客户定制自动测试设备研发、MIL-STD 750、MIL-STD 883、MIL-STD 19500、MIL-PRF 38534、MIL-PRF 38535等。

NASA EEE-INST-002是NASA《EEE器件选择、筛选和质量鉴定指南》，其中1级为最高等级，指最高可靠性和最低风险要求的任务，如空间飞行设备，适用于5年或5年以上服务要求的场合。