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美国Cree公司展示X波段雷达产品

时间:12-20 来源:国防科技信息网 点击:

提供碳化硅上氮化镓(GaN-on-SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)的美国Cree公司,在班加罗尔12月15–19日举行的2015国际印度雷达研讨会(IRSI-15)上,将展示用于L、S、C、X波段雷达的氮化镓射频器件。

创建于1983年,恢复于1999年作为每2年一次的会议,IRSI技术会议汇集最尖端的技术和专题报告,除了雷达信号和阵列处理、跟踪和数据处理,以及图像和气象雷达外,会议内容还包括:雷达系统、接收机、天线、阵列、控制器、处理器、软件、设备、部件,发射机、建模和仿真。IRSI展览展示了子系统产品、模型、图片、模块和多媒体演示。

在C-28 展位上,将展出用于L、S、C、X波段雷达的氮化镓射频器件。这包括CMPA801B025 X波段GaN MMIC功率放大器(额定功率为25W,操作频率8.5–11.0 GHz)用于脉冲雷达和宽带连续应用,其特点是37W典型POUT,功率增益16dB,功率附加效率(PAE)为35%。IRSI会展将给Cree公司提供一个宝贵机会,介绍先进氮化镓射频器件,世界级设计辅助、验证的制造工艺和测试,以及国际客户支持服务以影响美国雷达行业的成员。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所  黄庆红)

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