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是德科技出席第12届固态和集成电路技术会议

时间:10-15 来源:mwrf 点击:

2014 IEEE第12届固态和集成电路技术(ICSICT-2014)会议是两年一届的介绍固态和集成电路技术的最新进展,涉及固态器件、电路、工艺技术、材料及其它相关研究的国际会议。此次会议将于2014年10月28-31日在中国桂林举办。

是德科技(前安捷伦电子测量事业部)EEsof产品规划经理Brian Chen博士将出席本次会议并就氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件建模的最近进展发表嘉宾演讲。内容包括先进GaN基HEMT模型的需求和挑战,CMC有关GaN HEMT模型的标准化进程的最新进展,以及独特的基于使用大信号测试波形作为输入的建模方法论的DynaFET模型进行介绍。演讲的时间定为10月29日下午4点,第三会议室(Room 3),Session O11 "GaN-based Technology"。

同时是德科技还在会场设有展台,展示公司业界领先的关于高频高速、晶圆测量、器件建模、低频噪声测试系统、信号处理和射频电路的最新解决方案。

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