宜普eGaN FET组件模型被纳入NI Multisim电路模拟及设计软件

硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司宣布其增强型功率氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）SPICE模型被收纳入NI最新推出的Multisim 电路模拟及设计软件。Multisim提供全方位的电路分析工具，帮助工程师从先进功率转换系统的应用中易于计算、改变及查寻参数。

NI Multisim

NI公司产品经理Mahmoud Wahby说"现在几千工程师已使用Multism 13.0 的EPC组件模型来提高功率系统效率、缩小产品尺寸或降低开发成本，或同时实现这三方面的优势。Multisim 也是广为学术界及在功率电子设计中使用尖端组件的商户所采用的领先电路设计工具。我们很荣幸Multisim囊括EPC领先业界的氮化镓晶体管并期望将来最新的eGaN FET产品继续与Multisim合作。"

宜普公司创始人及首席执行官Alex Lidow说"为了使eGaN FET产品易于使用，我们把它们开发为跟硅功率MOSFET器件非常相似的器件之同时具备更高频性能。NI公司的MultisimSPICE模型包含我们的产品，为工程师提供易于使用的工具，大大提升氮化镓器件的易用性，帮助工程师利用氮化镓器件设计产品。这些器件模型推动缩短从设计电源转换系统到推出市场的时间及实现高性能氮化镓功率晶体管的优势。"

关于Multisim内的EPC组件及必需使用电路模拟的应用范例以取得理想的设计决策可参看网上广播ni.com/webcast/3263/en/。

关于美国国家仪器 （National Instruments）
从1976年开始，美国国家仪器为工程师及科学家提供推动生产力、原创及探索的工具。NI的图形系统设计方法为工程师提供整合式软件及硬件平台，旨在加快任何需要测量及控制的系统的开发时间。NI的长远愿景及专注于利用技术改善社会是为它的顾客、员工、供应商及持份者的成就而努力。

宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管，其目标应用包括直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、遥感技术（LiDAR）及D类音频放大器等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。