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Ammono公司将研究GaN衬底

时间:12-01 来源:国防科技信息网 点击:

欧空局日前授予波兰Ammono公司空间用氮化镓(GaN)衬底的研究合同。GaN是提升空间用电子器件性能的重要材料,其优点之一是对离子辐射效应具有强抵抗能力,离子辐射效应可降低空间中电子器件的性能和缩减运行寿命。

更重要的是,GaN器件可提供更高的功率密度和效率,实现电子有效载荷的小型化,从而减小空间用电子系统的体积和重量。

最后但同样重要的是,与目前基于砷化镓(GaAs)的空间用电子器件相比,GaN可使这些器件工作于更高的频率和功率,而这对远距离空间通信至关重要。

GaN基电子器件的主要应用领域是射频通信用晶体管和直流-直流功率转换器,潜在应用于GaN太阳能电池,因为其可在平方厘米内产生比现有技术更多的能量。

对于空间应用,材料的质量是至关重要的。Ammono公司表示,该公司的GaN衬底具有现有公开市场上最好的质量和极低的位错密度,该特性有助于提升器件的可靠性,而可靠性对航空应用非常重要。Ammono公司的GaN衬底具有非常适合于提供满足空间应用的高性能,也是设计全新一代空间用电子器件的第一步。

Ammono公司是波兰的半导体公司,成立于1999年,已基于独家专利技术开发出了独特的氨热氮化镓制造方法。现在的Ammono公司是低位错氮化镓衬底制造领域的创新者,其产品出口世界各地。GaN衬底的主要应用有高功率氮化镓晶体管,激光器和发光二级管。

欧空局(ESA)主要负责欧洲空间研究,是一个政府组织,成立于1975年,使命是建立欧洲的空间能力,并确保在空间的投资能够使欧洲和世界受益。

(工业和信息化部电子科学技术情报研究所  张倩)

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