联华与新思科技携手 促进联华14nm FinFET制程研发

日前，联华电子与新思科技(Synopsys)共同宣布，两家公司的合作已获得成果。采用新思科技DesignWare逻辑库的IP组合及GalaxyTM实作平台的一部分-寄生StarRCTM萃取方案，成功完成了联华电子第一个14奈米FinFET制程验证工具的设计定案。

由于FinFET制程所具备的效能、功耗、芯片内变异性以及比平面CMOS制程较低的数据保留电压等优势，引起了芯片设计公司高度的兴趣。此制程验证工具将提供初期的数据，让联华电子得以调整其14奈米FinFET制程，并且优化Synopsys的DesignWare IP产品组合，藉以得到最佳化的功耗、性能和面积。它同时也提供了数据，让FinFET仿真模型与硅制程结果有更好的关联性。

在双方持续发展中的合作关系上，采用新思科技DesignWare硅智财解决方案来认证联华电子14奈米FinFET制程，可视为是双方此次合作的第一座里程碑。

"此次设计定案的成功，是联华电子技术上的重要里程碑，" 联华电子市场营销副总郭天全表示，"联华电子的目标是提供客户高竞争力的FinFET技术解决方案，将可协助客户产品一直走在技术尖端。我们选择了新思科技作为此次重要合作的伙伴，原因在于他们在FinFET领域的经验与专业，以及在先进制程开发优质DesignWare硅智财的杰出纪录。此次合作的成果将可大大嘉惠设计公司，为其带来功耗、效能及成本上的好处。"

新思科技硅智财与系统营销副总John Koeter表示，"新思科技一直引领业界，致力于开发FinFET技术的硅智财与工具，我们与联华电子的合作，充分展现了双方共同的坚定承诺，开发通过验证之硅智财与工具，藉此降低设计公司在整合上的风险，并且加速其产品的量产时程。"