恩智浦增强氮化镓器件生产能力

恩智浦半导体公司获英国政府投资，在该公司位于英格兰曼切斯特附近的黑泽尔格罗夫晶片厂开发氮化镓功率半导体技术。

英国政府将提供200万英镑（约300万美元），支持恩智浦半导体公司的750万英镑（约1150万美元）投资。1450万美元的总投资将确保已有的至少400个制造岗位，并将创造100个新岗位。

恩智浦公司表示，该投资将用于招募额外的研发人员，开展原型制造，研制供氮化镓功率半导体开发阶段所需的装备。

恩智浦半导体公司正努力将采用硅上氮化镓工艺技术的650V二极管和开关技术商业化。该公司已经开始发布一系列氮化镓分立器件的计划，相关器件在黑泽尔格罗夫的功率场效应管晶片厂制造。其产品定位于如功率因数校正电源、太阳能、马达控制及汽车电子等以需要高能量转换效率的应用领域。

黑泽尔格罗夫生产晶体管已超过25年，且大多数时间是在制造金属氧化物场效应功率晶体管，当前采用的是6英寸（168.3mm）直径晶片。氮化镓比硅效率高，正成为光电、功率半导体和射频应用的可选材料。然而，氮化镓难以同已经商业化的硅功率晶体管竞争。近期，硅上氮化镓实现了成本突破，降低了功率应用的每晶片成本，允许在现有硅晶片厂部署工艺，并将晶片尺寸从6英寸按比例增大至8英寸（203.2mm）。

（工业和信息化部电子科学技术情报研究所  王巍）