恩智浦获英政府200万英镑氮化镓发展资金

据国外媒体报道，英国政府向恩智浦（NXP）英国分公司提供200万英镑，以促进新一代氮化镓（GaN）器件的发展。

授予NXP的资金是第三轮政府区域增长资金（Regional Growth Fund）的一部分，将用于招聘额外研发人员，研制原型模块、走访咨询英国著名学者和提供研发阶段的设备等。

它将支持NXP公司在曼彻斯特工厂、当地企业和供应商中建立功率半导体先进中心的投资。并有望保障斯托克波特超过400个的现存职位，以及创建100个新职位。

GaN器件比传统硅器件高效，因此很可能成为功率电子行业和未来电子市场的重要资源。最终，GaN将在功率电子系统领域替代传统硅器件，如用于汽车系统、移动手机、通信架构以及云计算中。

英国财政部秘书长丹尼·亚历山大在曼彻斯特的发言中表示，"很高兴看到区域增长资金对在托克波特建立世界领先氮化镓研究设施的支持，将对当地的发展形成促进，带来巨大的私人投资和地方就业机会。RGF为我们提供了推动创新项目的机会，并显示出我们正在尽一切努力推动经济增长和确立英国作为世界科学和创新技术领先者的地位。"