稳定可靠的I2C通信的设计计算
数字输入的泄漏产生,也可能是质量较差的PCB材料以及焊接残留物所导致。其中一些因素是无法预见的,但采用高质量材料和良好的制造工艺时,输入引脚泄漏是主要原因。
根据图2,没有器件拉低总线电平时,线的电平需要高于VIH才能被视为逻辑高电平。泄漏电流会限制Rp的最大值,这样其两端的电压降不会阻止线的电平被拉高至VIH以上。对于VIH规范,还应谨慎留出一些保护裕量,以防止噪声尖峰将电压拉低至VIH电平以下。要在高噪声环境下稳定工作,I2C规范建议采用0.2 Vdd作为高出VIH的适当裕量。
公式4:逻辑高输入电平上的额外裕量。
通常会在器件的数据手册中给出数字输入的泄漏电流,对于Microchip的I2C EEPROM器件,最大输入泄漏电流(IlIEE)为1µA。组成系统的最少元件是单片机I2C主器件和I2C从器件。对于本例,采用一个输入泄漏电流(IlIMCU)为1µA的单片机和四个I2C EEPROM器件,允许100%裕量,IIH为10µA。
公式5:已定义总线的引脚泄漏产生的泄漏电流。
应用欧姆定律,我们可以确定符合这些规范的Rp最大值。
公式6:确保逻辑高电平的最小上拉电阻值。
电阻值计算
通过计算电源电压、总线电容和泄漏电流,我们可以得出RP值的范围。
可以忽略由泄漏电流产生的 50KΩ(最大值),因为总线电容起主导作用。因此,可接受的电阻值的范围为:
设计人员应选择范围中间附近的值,以尽可能提供较大的保护带。对于本例,2.2KΩ的上拉电阻较为理想。
总线速度与功耗
当提高总线速度或存在较大总线电容时,必须减小上拉电阻。阻值较低的电阻会导致电流消耗增加,因为总线上的每个逻辑低电平都会产生对地通路,从而对功耗造成负面影响。快速完成任务并使系统恢复到低功耗空闲状态,与较高总线速度要求所产生的额外电流消耗存在矛盾,总线速度可成为两者之间的权衡因素。对于功耗预算非常低的应用,SPI可能是更合适的总线协议,因为其使用驱动线路,而不是集电极开路。
- I2C串行EEPROM应用系统的健壮性设计(03-29)
- 意法半导体(ST)推出新的带EEPROM和嵌入式晶体的实时时钟芯片(11-01)
- 德州仪器针对网络设计推出飞秒级高性能时钟发生器(06-02)
- 存储器原理(09-20)
- 相变存储器(PCM)技术基础(10-24)
- 基于DSP和X5165芯片的非易失性数据存储设计(01-02)