FLASH存储器的测试方法研究

4．测试方法的综合使用和流水测试

以上，从算法的角度上提高了FLASH芯片的可测性。虽然NOR、NAND型FLASH结构不同，但由于以上算法都可通过计算，顺序产生测试图形，因此可通用于以上两类器件的测试中。

上述三种方法各有优点，在实际应用中可配合使用。地址奇偶性图形测试最为方便高效，因为在写入图形过程中每次只改变一位地址线，而且写入的是相反的数据，所以如果哪一位地址线出现短路立刻会被检查出来，使用该方法最适宜检验地址译码器的故障。齐步法适于用来检验多重地址选择与译码器的故障，并且可以检测写入时噪声对存储芯片特性的影响，它能保证正确的地址译码和每个存储单元存储"1"和"0"信息的能力。在大多数生产测试中，联合使用这两种方法可以判别出FLASH绝大多数的故障。当然，各个厂家生产的芯片在结构和工艺上有一定区别，因此出现各种错误的概率也不同，可以根据实际情况调整方法。由于设计问题，有些芯片还有可能出现其他一些不太常见的错误，这就需要进行更详尽的测试，这时使用移动变反测试法就比较合适。这种方法可以很好地测试芯片的动态错误，并且可根据具体需要详细展开测试或简化测试，对于产品性能分析十分有效。

在具体程序设计时，为简化算法执行，可以将读取产品型号、调用读写命令的语句作为子程序存储在测试仪中，每次需要时都可以无缝调用。

在测试过程中，最耗费时间的是程序擦除操作，一次擦除往往就需要几秒，其解决办法是将擦除工序单独处理。在实际应用中，可使用两台测试仪，其中，在擦除时几个芯片并行运行。这样，一台设备用于读、写、测试，另一台设备用于擦除数据，就可以有效地形成流水线操作，大大节省测试时间。此外，将几种方法综合使用，还有助于提高故障覆盖率。

5．实验结果

根据上述思想，我们在国产BC3192的测试系统平台［7］[8]上，对AMD公司的NOR型FLASH--Am29LV400B及三星公司的NAND型FLASH--9F5608UOB都进行了测试。实验表明，和传统的以棋盘格为基础的测试图形［1］相比，奇偶校验法、齐步法和移动变反法产生的测试图形故障覆盖率更高，这些算法由于最多只有两次芯片擦除操作，所以测试时间完全能符合工程测试需要，其中，移动变反法没有擦除操作，所以测试速度最快。在实验中，我们采用上述三种方法中任意一种，按照流水的方法测试，在相同故障覆盖率下，都可以使测试效率可提高40％以上。

6．结论

本文是在传统存储器测试理论基础上对FLASH测试的尝试，该方法保留了传统方法的优点，较好地解决了FLASH存储器测试的困难。该方法方便快捷，流程简单，所有测试图形都可以事先生成，这样就可以直接加载到测试仪中，有利于直接应用于测试仪进行生产测试。

发布者：博子