多端口SDRAM控制器的设计与实现

0 引 言

目前，在很多视频数据采集以及实时显示的应用开发中，常需要用到存储容量大、读写速度快的存储器。在各种存储器件中，同步动态随机存储器SDRAM 以其速度快、容量大、价格低的特点而备受关注。SDRAM 的工作频率可以达到100MHz 甚至更高，但是在其工作周期内，因为要有刷新、预充电以及寻址等必要的操作，不可能总处于数据传输状态，使得它的带宽不能达到百分之百的利用，实时显示效果因此受到影响。为此，本文在研究有关文献的基础上，根据具体情况提出了一种独特的方法，利用FPGA 的片上资源开辟了多个FIFO 作为读写缓存，实现了多端口SDRAM 控制器的设计，并用Verilog 硬件描述语言[1] 给予实现，仿真结果表明该控制器能够轮流地从多个缓存向SDRAM 进行存取，实现了高速多数据缓存，充分利用了SDRAM 的有效带宽，提高了存取速度，从而达到实时显示的要求，并且只要将该设计稍加修改，便可应用到其他需要多数据缓存的场合。

1 SDRAM 基本操作原理[2] [3]

SDRAM 的主要控制信号有：CS_N：片选使能；CAS_N：列地址选通信号；RAS_N： 行地址选通信号；WE_N：写使能信号；DQM：字节掩码信号；ADDR：地址线。以上这些信号的逻辑组合就组成了SDRAM 的主要操作命令，如表1 所示：



1.1 初始化操作

SDRAM 上电一段时间后, 经过初始化操作才可以进入正常工作过程。初始化主要完成预充电、自动刷新和模式寄存器的配置。
1.2 SDRAM 的基本读写操作

读写操作主要完成与SDRAM 的数据交换。可以分为非突发连续操作模式和突发连续操作模式, 非突发指的是传送数据和地址必须是相对应一个一个的传输, 突发模式则是地址控制信号只需要给出首地址信息, 而数据实现连续传输过程, 突发数据的长度可以为1, 2,4, 8 和全页。

1.3 刷新操作

动态存储器都存在刷新问题。SDRAM 的刷新方式有自动刷新和自主刷新, 这里主要采用自动刷新方式, 每隔一段时间向SDRAM 发一条刷新命令。

2 基于FPGA 的多端口SDRAM 控制器设计

设计中选用的FPGA 是Altera 公司生产的CycloneII 系列中的EP2C35，选用的SDRAM 是ISSI 推出的64-MBIT 的IS42S16400B ，它是以1MWords X 16Bits X 4Banks 为组织结构的同步动态随机存储器，最高时钟频率可达143MHz[4]。

视频数据实时显示系统的基本构成如图1 所示[5]：



SDRAM 作为帧缓冲器，它的上一级数据输入是25MHz 的视频数据采集模块，所得到的数据经处理以后是每个像素点30 位数据，下一级是VGA 显示器以25MHz 的时钟进行数据输出，也要求是每个像素点30 位，而SDRAM 的数据宽度是16 位，因而每当存入和读取一个像素点的数据时，各需要进行两次传输。本款芯片SDRAM 的工作频率虽然可设置为100MHz ，但是如果不加缓存的话，就不能使用页突发模式来有效利用带宽，而且SDRAM 内部其他操作也需要占用一定的时间，不能达到实时显示的效果。本文在研究有关文献的基础上，利用FPGA 的片上资源开辟4 个FIFO 缓存，将SDRAM 的数据端口仿真成四个虚拟端口（两个写端口+两个读端口），每个端口的数据宽度都是16位，深度是两页SDRAM 的大小。且按照一致的规则将30 位采集和显示的数据分成两组与缓存进行存取，相应的，在SDRAM 上使用两个Bank 来分别存取每组数据。控制器根据缓存FIFO 的状态对SDRAM 发出读写请求，采用页模式突发传输和Bank 切换的方式来匹配时序要求。

SDRAM 控制器的内部结构如图2 所示：



各功能模块描述如下：

2.1 多端口读写控制模块

该模块是与外设交换数据的接口，并且根据缓存FIFO 的状态，自动生成对SDRAM 的读写请求以及数据缓冲处理。它是本设计的核心。下面着重描述一下读写请求产生的设计过程和简要代码。
各功能模块描述如下：

2.1 多端口读写控制模块

该模块是与外设交换数据的接口，并且根据缓存FIFO 的状态，自动生成对SDRAM 的读写请求以及数据缓冲处理。它是本设计的核心。下面着重描述一下读写请求产生的设计过程和简要代码。

2.2 地址生成模块：

该模块用来自动生成对SDRAM进行存取操作的Bank地址，起始地址和突发长度。由于30位的像素数据等分各存入两个Bank里，所以在Bank里它们的对应地址是相同变化的，这样存取数据时，对两个Bank的读写地址的控制就是统一增减的，降低了使用一个Bank时读写控制的繁杂性。

2.3 自动刷新模块：

SDRAM需要不断的刷新操作，同一行的存储单元每隔64m s 需要刷新一次，对于本芯片的一个Bank 中的4096 行存储单元，则每15. 625us 就需要发出一个刷新命令，由于本设计采取缓存的办法，所以应该按读写SDRAM到缓存FIFO的时间为准来设计刷新计数器的初始值。以页模式进行读写，读数据的整个时间过程是tRCD+ tCL+mLENGTH ，写数据的整个时间过程是tRCD+mLENGTH ，其中tRCD是激活命令到读或写命令期间的延迟，tCL是读命令发出后到第一个有效数据之间的间隔，mLENGTH 是SDRAM 的页长，本设计中tRCD =3， tCL=3，mLength=256 。因此刷新计数器的初始值设置为2X(256+3+3)+ 2X(256+3)=1042 ，经计算远远小于所要求的刷新周期，初值设置合理。开始工作后，每当刷新计数器值减为0， 便会发出刷新命令，保证SDRAM内的数据不丢失，自动刷新之后直接进行预充电来关闭工作行。