 图3 引入附加延迟AL的DDR2 SDRAM读取模式【1】
在图3中，AL设置为tRCD-1，此时，可以实现ACT和RD AP命令背靠背的发出，只不过，DDR2 SDRAM需要抑制RD AP命令，直到AL延时满足后才能执行。
 图4 引入AL后的多Bank数据读取
如图4，引入AL并设置AL为tRCD-1后，对于多个Bank数据读取，输出数据流之间不再出现间隙。
这种为了避免ACT命令和RD AP命令冲突而提出的技术就叫做Posted CAS技术。其本质就是将CAS#信号的使能时间段(即RD AP命令)直接插入到紧跟RAS#信号的使能时间段(即ACT命令)之后，虽然读和写操作并没有得到提前，总的延迟时间也没有发生改变，但引入这种技术后，可以避免在多Bank操作中的一个Bank的CAS#信号和其他Bank的RAS#信号发生冲突，从而提高了存储芯片的使用效率。
可以通过配置DDR2 SDRAM芯片内部的EMR寄存器的第3～5位，将附加延时AL配置为0~5个时钟周期。
* 4n数据预取
DDR SDRAM的数据预取能力是2，即芯片内部能以2倍于时钟运行的速度预取数据，从而使得芯片内核工作频率仅需要为外部数据传输率的一半。DDR2 SDRAM的数据预取能力是4，即芯片内核工作频率仅需要为外部数据传输率的1/4。而对于SDRAM，芯片内核工作频率等于外部数据传输速率。所以在同样的内核频率下，DDR SDRAM的数据传输速率比SDRAM高一倍，而DDR2 SDRAM的数据传输率比DDR SDRAM又高一倍。
例如，DDR2和DDR1 SDRAM的外部数据传输率都为400Mb/s的情况下，对于DDR2 SDRAM而言，其内核工作频率仅需要为100MHz，而对于DDR SDRAM，其内核工作频率需要为200MHz，如果是SDRAM，则其内核频率要求为400MHz，正是因为如此高的内核频率无法在技术上实现，因而SDRAM的数据传输率无法达到400Mb/s。
利用这项技术，DDR2 SDRAM可以在不提高内核工作频率的前提下(即无需对芯片做大的技术革新)，大大提高外部数据传输速率，从而获得更高的性能。值得提及的是，目前正在研发的DDR3 SDRAM技术，其数据传输率比DDR2 SDRAM又有大幅度提高，其并不是源于技术上的巨大变革，而是因为采用了8n数据预取技术。
根据数据传输速率的不同，DDR SDRAM有如下系列：266Mb/s,333Mb/s, 400Mb/s，而DDR2 SDRAM有如下系列：400Mb/s,533Mb/s, 667Mb/s,800Mb/s, 1066Mb/s。可以看出，DDR2 SDRAM直接从DDR SDRAM的最高的数据传输率起步，最高可以达到1066Mb/s以上，该性能的大幅提升，正是利用了这种4倍数据预取技术。
图5提供了DDR SDRAM和DDR2 SDRAM的数据预取框图以便比较。
 图5 16位存储芯片的数据预取框图
* 差分DQS/DQS#信号
DDR SDRAM采用单端DQS信号。
如前文所述，目前广泛应用的DDR2 SDRAM，数据传输率最高已经达到1066Mbit/s，即DQS和DQ的变化率都将达到一秒钟1066M次，其中，DQS作为数据信号DQ的采样参考源，如果采用单端信号已经不足以保证其在高速变化时的信号完整性。
采用差分DQS/DQS#信号，其优势在于：减少信号间串扰的影响，减少DQS输出脉宽对工作电压和温度稳定性的依赖等。因而，建议在使用数据传输率为533Mb/s以上的DDR2 SDRAM系列时，尽量采用差分DQS/DQS#信号。
使能差分DQS信号是通过设置DDR2 SDRAM的EMR寄存器的第10位为0来实现。
* 功耗和封装
DDR SDRAM的电平常用SSTL-2，即信号引脚是利用2.5V电源供电，而DDR2 SDRAM则采用SSTL-18电平，即信号引脚是利用1.8V电源供电。在相同存储容量和相同数据传输率的情况下，DDR2 SDRAM将有更低的功耗。
DDR SDRAM的封装种类有：66引脚的TSOP封装，60引脚的FBGA封装。由于DDR SDRAM的数据传输率不是特别高，因此TSOP封装能较好的工作在这种频率上。而DDR2 SDRAM的最高数据传输率已经达到1066Mb/s，在高频下，TSOP封装的过长的引脚将产生很高的感抗和寄生电容，严重影响芯片工作的稳定性。
DDR2 SDRAM直接采用FBGA封装，基于其良好的电气性能和散热性，保证了芯片在高速工作下的稳定性。
由于DDR2 SDRAM有4位，8位，16位(芯片的DQ引脚的数目，16位表示芯片有16根DQ引脚)三种不同系列，因而无法采用统一引脚数目的封装。目前，4位和8位的芯片采用60或者68引脚的FBGA封装，16位的芯片采用92或者84引脚的FBGA封装。
* OCD
OCD(Off-Chip Driver)即离线驱动调整技术。这是DDR2 SDRAM刚问世时开发的技术，而目前的DDR2 SDRAM芯片已不再支持该技术【2】，因此不再详述。
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