LTE中国专利态势分析

　　(作者：国家知识产权局知识产权发展研究中心　王雷　国家知识产权局专利局　戴妮)

　　通过调查发现，国内申请与国外来华申请的比也达到5比1。国内申请在申请数量上有一定优势。同时需要重视国外申请专利出现变换发明类型希望尽早获得专利权的动向。

　　LTE是近年来3GPP启动的最大的新技术研发项目，这种以OFDM/FDMA为核心的技术可以被看作"准4G"技术。3GPPLTE项目的主要性能目标包括：在20MHz频谱带宽能够提供下行100Mbps、上行50Mbps的峰值速率；改善小区边缘用户的性能；提高小区容量；降低系统延迟，用户平面内部单向传输时延低于5ms，控制平面从睡眠状态到激活状态迁移时间低于50ms，从驻留状态到激活状态的迁移时间小于100ms；支持100Km半径的小区覆盖；能够为350Km/h高速移动用户提供>100kbps的接入服务；支持成对或非成对频谱，并可灵活配置1.25MHz到20MHz多种带宽。

　　2008年LTE是通信产业界的热门话题，而在LTE与WiMax、UMB的竞争中，TDDLTE和FDDLTE间的竞争中，专利扮演重要角色。本文对明确涉及LTE长期演进的中国专利1进行检索并对检索结果进行分析，希望通过实证性专利分析帮助大家了解LTE中国专利的一些现状情况。

　　从检索结果看目前明确涉及LTE的中国专利数量不多，截至2008年11月通过检索和筛选得到130余件相关中国专利及专利申请。分析目前LTE专利数量较少的原因是因为LTE的提出时间距今较短和专利延迟公开制度的影响，随着产业化的实现相关专利数量预计将有大幅增长，对于LTE专利的监测需要持续进行。

　　明确涉及LTE的中国专利国内申请占有大部分份额

　　对检索结果进行分析，只考虑申请人地址国内申请与国外来华申请的比达到22比1，进一步考虑申请人的性质如外商独资申请(如北京三星通信技术研究有限公司、上海贝尔阿尔卡特股份有限公司)，国内申请与国外来华申请的比也达到5比1。国内申请在申请数量上有一定优势。

　　综合LTE中应用的重要技术OFDM、MIMO中国专利的国内申请逐年申请数量超过国外来华申请，目前我国通信界对于获取自主知识产权非常重视，行动积极，提交了大量专利申请。

　　需要注意的是在涉及LTE中国专利中，目前只有美国申请人INTER-DIGITALTECHNOLOGYCOR-PORATION获得了三件实用新型专利。这个情况非常特殊，国外企业在我国申请实用新型专利数量很少，在通信领域外国申请人采用实用新型方式申请专利非常罕见，是否希望通过实用新型的方式尽快获得有效专利权值得考虑。

　　从2005年就开始出现明确涉及LTE中国专利

　　2004年11月份3GPP的魁北克会议上，3GPP决定开始3G系统的长期演进(LongTermEvolution)的研究项目。而2005年7月就有涉及LTE的中国专利申请出现，是由北京三星通信技术研究有限公司和三星电子株式会社联合申请的"CN200510084935--支持长期演进系统结构中控制平面和用户平面分离的方法"，现任三星通信3G标准化技术总监李小强先生就是此件专利的发明人之一。

　　从如此快速地反应中可以看到国外通信巨头贯彻专利抢占产业竞争制高点的竞争策略。在2005年一年国外申请人提出了6件明确涉及LTE的中国专利申请。

　　值得庆幸的是，LTE长期演进没有像在2G和3G上那样落后国外申请人7年后，国内申请人才开始申请专利，2005年华为公司和中兴公司也各自提交了相关专利申请。国内通信业界自主知识产权意识和能力相比10年前有了巨大改变。

　　国外公司在LTE的物理层、空中接口协议和网络架构三方面都提出了专利申请

　　国内申请人以华为、中兴、大唐这三家国内通信技术实力最雄厚的单位为代表申请了一定数量的专利。在LTE方面他们的专利申请量在国际总体上也可以排名前列，对于LTE世界范围的专利态势将另文讨论。

　　相比其他技术领域，在LTE的专利申请上更多的是企业为申请人，说明LTE从一出现就与产业实际应用联系紧密。

　　国外公司中三星公司申请最为积极，以在华公司北京三星通信技术研究有限公司为第一申请人对于LTE的物理层、空中接口协议和网络架构三大研究方面都提出了专利申请，美商内数位科技公司(INTERDIGI-TAL)在物理层和网络架构方面获得了专利权、阿尔卡特在空中接口方面申请了专利。

　　这几家国外巨头都是3G领域的风云人物，阿尔卡特朗讯在2008年12月对外的正式声明中称，LTE将是公司策略投资重点。而爱立信公司也表示2009年可以商用部署LTE产品，同时支持FDD和TDD双工模式，在对LTE世界范围的专利检索中也确实有相关发现，将另文研究讨论。

国外公司拥有丰富的专利战略经验，申请专利如何选择主题，如何撰写申请文件方面有很多经验值得我国申请人学习。