基于ARM9内核Processor对外部NAND FLASH的控制实现
时间:07-12
来源:21IC
点击:
4 NAND FLASH在系统中的读写速度
经过测试在该系统平台中,OS为Palm OS 5.4;CPU使用PXA270 312 MHz;SDRAM使用Samsung的16 bdata width HYB25L256160AF-7.5@104 MHz;NANDFLASH选用Samsung 128 MB 8 b I/O NAND FLASHK9F1G08U0A达到在文件系统下面的读/写的速度为3 MB/s,擦除的速度为65 MB/s,在手持式设备中运用性能已经够了。
- 基于IPv6和ARM9的地震烈度计开发(08-25)
- BACnet/IP智能终端的模型研究与设计(08-15)
- 蓝牙无线电调制解调器Siw1701原理与应用(02-19)
- 嵌入式移动数据库的关键技术(03-20)
- 在嵌入式SQL中怎样使用游标(08-12)
- 嵌入式Linux系统软件开发学习思路详细介绍 (08-20)