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基于ARM9内核Processor对外部NAND FLASH的控制实现

时间:07-12 来源:21IC 点击:

4 NAND FLASH在系统中的读写速度

经过测试在该系统平台中,OS为Palm OS 5.4;CPU使用PXA270 312 MHz;SDRAM使用Samsung的16 bdata width HYB25L256160AF-7.5@104 MHz;NANDFLASH选用Samsung 128 MB 8 b I/O NAND FLASHK9F1G08U0A达到在文件系统下面的读/写的速度为3 MB/s,擦除的速度为65 MB/s,在手持式设备中运用性能已经够了。

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