安捷伦NXP展示LDMOS电晶体特性描述

安捷伦(Agilent)与恩智浦(NXP)半导体共同宣布，将针对安捷伦得奖的非线性向量网路分析仪(NVNA)提供现场展示。该NVNA必须在安捷伦的PNA-X系列网路分析仪上执行，在这次的展示中，将被用来对NXP专为2.45GHz ISM频带应用而设计的高功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)电晶体进行特性描述。

基于NVNA的基本讯号源和负载拉移系统，可以在2400～2500MHz的频带内，分析NXP的250瓦射频(RF)功率元件。这场展示已于10月11～13日，在英国曼彻斯特中心登场的欧洲微波周中进行。

该量测系统可以在基本频率和谐波频率下进行非线性行为的特性描述，并提供强大的X参数模拟能力。搭配被动调谐器(Passive Tuner)使用，则可量测10M～67GHz的频率范围。

展示时，将会使用NXP的BLF2425M7L250P电晶体作为待测元件(DUT)。这款采用Si-LDMOS技术的第七代产品，是特别为2.45 GHz ISM频带应用而设计。它将峰值功率位准提高到250瓦以上，并提供大于16dB的增益和高于50%的吸汲效率(Drain Efficiency)。如同NXP其他的射频功率元件一样，BLF2425M7L250P也具备绝佳的耐用性，这对于通常会使用笨重的射频负载的ISM 应用空间来说，是最重要的一项特性。

台湾安捷伦董事长暨电子量测事业群总经理张志铭表示，多亏有NVNA，才能在逼真的输入和输出匹配情况下，利用大讯号激发来分析元件的行为特性，并从该设定了解到可提供深入的元件分析之重要效益指数，例如输出功率等位线、功率附加效率(PAE)等位线、以及负载相依的动态负载线路。这项资讯有助于大幅缩短我们在射频电路和元件模拟模型的前置时间(Lead Time)，从而协助客户加速产品上市时程。