快捷半导体收购TranSiC 引入碳化硅技术开发创新产品

高性能电源和可携式产品供应商快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布(Fairchild Semiconductor) 宣布收购碳化硅(Silicon Carbide; SiC) 功率晶体管企业TranSiC公司，以扩展其技术领先地位。

这项收购为快捷半导体带来具有充分验证之业界领先效率、可在超广温度范围下有出色性能、以及优于MOSFET和JFET技术的卓越性能之双极SiC晶体管技术。 快捷半导体同时借此获取经验丰富的SiC工程师团队和科学家团队，以及多项SiC技术专利。

快捷半导体公司主席、总裁兼执行长Mark Thompson表示：“通过结合SiC技术和快捷半导体现有的MOSFET、IGBT和多晶片模组方面的能力，以及遍及全球的客户据点，快捷半导体拥有足够实力，继续担当创新高性能功率晶体管技术领导厂商的角色。”

快捷半导体技术长Dan Kinzer指出：“凭着SiC技术的高性能表现，功率转换效率可被大大提高。它还提供更高的转换速度，可以缩小的终端系统外形尺寸。碳化硅技术在市场已有一定地位，同时在宽能隙(wide bandgap)领域拥有强大优势，适合需要600V以上电压的应用，并且展现出色的稳健性和可靠性。”

SiC技术超越其他技术的优势包括：
· 在特定的晶片尺寸下具有较低的导通状态电压降(Voltage Drop)
· 较高的电流密度
· 较高的运作温度
· 极低的热阻抗
· 只有多数载流子传导，具有超快的开关速度
· 采用电流增益范围为100的通常关断运作(off operation)方式，提供简便的驱动解决方案
· 由于采用正温度系数电阻元件，可以达成简易并联

另外，这类元件的阻抗非常接近SiC技术的理论极限，并且成功在25ns的导通和关断时间范围内展示出800V下的50A开关运作。 这些元件在长期的全额定偏流和电流应力状况下具有参数稳定性。

这些高增益SiC双极元件适合井下钻探、太阳能变流器、风力变流器、电动及复合动力汽车、工业驱动、UPS和轻轨牵引应用中的高功率转换应用。 市场研究机构Yole Development预计，到于二○二○年，这些市场的规模将达到接近10亿美元。

这款元件具有领先业界的效率，可将成熟的硅技术元件的相关损耗减少达50%，或在相同的损耗条件下，将频率提升达四倍。 SiC元件具有显著缩小的尺寸、较少的被动元件，能够降低整体系统成本和提升价值。 对于需要最高效率和功率密度的系统，该元件是无可比拟的首选产品。

快捷半导体正在为目标应用提供最高50A额定电流的1200V初始产品之样品，并将于未来开发具有更高电压和电流范围的产品，继续推动省能工作。