微波EDA网，见证研发工程师的成长！ 2025濠电姷鏁告慨鐑藉极閸涘﹥鍙忛柟缁㈠枟閸庡顭块懜闈涘缂佺嫏鍥х閻庢稒蓱鐏忣厼霉濠婂懎浜惧ǎ鍥э躬婵″爼宕熼鐐差瀴闂備礁鎲￠悷銉ф崲濮椻偓瀵鏁愭径濠勵吅闂佹寧绻傚Λ顓炍涢崟顓犵＜闁绘劦鍓欓崝銈嗙箾绾绡€鐎殿喖顭烽幃銏ゅ川婵犲嫮肖闂備礁鎲￠幐鍡涘川椤旂瓔鍟呯紓鍌氬€搁崐鐑芥嚄閼搁潧鍨旀い鎾卞灩閸ㄥ倿鏌涢锝嗙闁藉啰鍠栭弻鏇熺箾閻愵剚鐝曢梺绋款儏濡繈寮诲☉姘勃闁告挆鈧Σ鍫濐渻閵堝懘鐛滈柟鍑ゆ嫹04闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌熼梻瀵割槮缁惧墽鎳撻—鍐偓锝庝簼閹癸綁鏌ｉ鐐搭棞闁靛棙甯掗～婵嬫晲閸涱剙顥氬┑掳鍊楁慨鐑藉磻閻愮儤鍋嬮柣妯荤湽閳ь兛绶氬鎾閳╁啯鐝曢梻浣藉Г閿氭い锔诲枤缁辨棃寮撮姀鈾€鎷绘繛杈剧秬濞咃絿鏁☉銏＄厱闁哄啠鍋撴繛鑼枛閻涱噣寮介褎鏅濋梺闈涚墕濞诧絿绮径濠庢富闁靛牆妫涙晶閬嶆煕鐎ｎ剙浠遍柟顕嗙節婵＄兘鍩￠崒婊冨箺闂備礁鎼ú銊╁磻濞戙垹鐒垫い鎺嗗亾婵犫偓闁秴鐒垫い鎺嶈兌閸熸煡鏌熼崙銈嗗23闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌熼梻瀵割槮缁惧墽鎳撻—鍐偓锝庝簼閹癸綁鏌ｉ鐐搭棞闁靛棙甯掗～婵嬫晲閸涱剙顥氬┑掳鍊楁慨鐑藉磻閻愮儤鍋嬮柣妯荤湽閳ь兛绶氬鎾閳╁啯鐝栭梻渚€鈧偛鑻晶鎵磼椤曞棛鍒伴摶鏍归敐鍫燁仩妞ゆ梹娲熷娲偡閹殿喗鎲奸梺鑽ゅ枂閸庣敻骞冨鈧崺锟犲礃椤忓棴绱查梻浣虹帛閻熴垽宕戦幘缁樼厱闁靛ǹ鍎抽崺锝団偓娈垮枛椤攱淇婇幖浣哥厸闁稿本鐭花浠嬫⒒娴ｅ懙褰掑嫉椤掑倻鐭欓柟杈惧瘜閺佸倿鏌ㄩ悤鍌涘 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌熼梻瀵割槮缁惧墽鎳撻—鍐偓锝庝簼閹癸綁鏌ｉ鐐搭棞闁靛棙甯掗～婵嬫晲閸涱剙顥氬┑掳鍊楁慨鐑藉磻閻愮儤鍋嬮柣妯荤湽閳ь兛绶氬鎾閻樻爠鍥ㄧ厱閻忕偛澧介悡顖氼熆鐟欏嫭绀€闁宠鍨块、娆戠磼閹惧墎绐楅梻浣告啞椤棝宕橀敐鍡欌偓娲倵楠炲灝鍔氭繛鑼█瀹曟垿骞橀懜闈涙瀭闂佸憡娲﹂崜娑㈡晬濞戙垺鈷戦柛娑樷看濞堟洖鈹戦悙璇ц含闁诡喕鍗抽、姘跺焵椤掆偓閻ｇ兘宕奸弴銊︽櫌婵犮垼娉涢鍡椻枍鐏炶В鏀介柣妯虹仛閺嗏晛鈹戦鑺ュ唉妤犵偛锕ュ鍕箛椤掑偊绱遍梻浣筋潐瀹曟﹢顢氳閺屻劑濡堕崱鏇犵畾闂侀潧鐗嗙€氼垶宕楀畝鍕厱婵炲棗绻戦ˉ銏℃叏婵犲懏顏犵紒杈ㄥ笒铻ｉ柤濮愬€ゅΣ顒勬⒒娴ｅ懙褰掓晝閵堝拑鑰块梺顒€绉撮悞鍨亜閹哄秷鍏岄柛鐔哥叀閺岀喖宕欓妶鍡楊伓婵犵數濮烽弫鍛婃叏閻戣棄鏋侀柛娑橈攻閸欏繘鏌ｉ幋锝嗩棄闁哄绶氶弻鐔兼⒒鐎靛壊妲紒鐐劤椤兘寮婚敐澶婄疀妞ゆ帊鐒﹂崕鎾绘⒑閹肩偛濡奸柛濠傛健瀵鈽夐姀鈺傛櫇闂佹寧绻傚Λ娑⑺囬妷褏纾藉ù锝呮惈闉嬪銈庡亜椤﹀灚淇婇悽绋跨妞ゆ牗姘ㄩ悿鈧梻浣告啞閹哥兘鎳楅崼鏇炴辈闁绘ḿ鏁哥壕钘壝归敐鍛儓妞ゅ骸鐭傞弻娑㈠Ω閵壯冪厽閻庢鍠栭…閿嬩繆閹间礁鐓涢柛灞剧煯缁ㄤ粙姊绘担鍛靛綊寮甸鍌滅煓闁硅揪瀵岄弫鍌炴煥閻曞倹瀚�

同步降压MOSFET电阻比的选择

时间：09-28 来源：互联网点击：

在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成部分，您会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范，并且需要选择一些 FET。另外，如果您是一名 IC 设计人员，则您还会有一定的预算，其规定了 FET 成本或者封装尺寸。这两种输入会帮助您选择总 MOSFET 芯片面积。之后，这些输入可用于对各个 FET 面积进行效率方面的优化。

图 1 传导损耗与 FET 电阻比和占空比相关

　　首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大(旨在降低其电阻)，则低侧的面积必须减小，而其电阻增加。其次，高侧和低侧 FET 导电时间的百分比与VOUT/VIN 的转换比相关，其首先等于高侧占空比 (D)。高侧 FET 导通 D 百分比时间，而剩余 (1-D) 百分比时间由低侧 FET 导通。图 1 显示了标准化的传导损耗，其与专用于高侧 FET 的 FET 面积百分比(X 轴)以及转换因数(曲线)相关。很明显，某个设定转换比率条件下，可在高侧和低侧之间实现最佳芯片面积分配，这时总传导损耗最小。低转换比率条件下，请使用较小的高侧 FET。反之，高转换比率时，请在顶部使用更多的 FET。面积分配至关重要，因为如果输出增加至 3.6V，则针对 12V：1.2V 转换比率(10% 占空比)进行优化的电路，其传导损耗会增加 30%，而如果输出进一步增加至 6V，则传导损耗会增加近80%。最后，需要指出的是，50% 高侧面积分配时所有曲线都经过同一个点。这是因为两个 FET 电阻在这一点相等。

图 2 存在一个基于转换比率的最佳面积比

　　注意：电阻比与面积比成反比

通过图 1，我们知道 50% 转换比率时出现最佳传导损耗极值。但是，在其他转换比率条件下，可以将损耗降至这一水平以下。附录 1 给出了进行这种优化的数学计算方法，而图 2 显示了其计算结果。即使在极低的转换比率条件下，FET 芯片面积的很大一部分都应该用于高侧 FET。高转换比率时同样如此;应该有很大一部分面积用于低侧。这些结果是对这一问题的初步研究，其并未包括如高侧和低侧FET之间的各种具体电阻值，开关速度的影响，或者对这种芯片面积进行封装相关的成本和电阻等诸多方面。但是，它为确定 FET之间的电阻比提供了一个良好的开端，并且应会在FET选择方面实现更好的整体折中。

下次，我们将讨论如何确定 SEPIC 所用耦合电感的漏电感要求，敬请期待。本文及其他电源解决方案的更多详情，请访问：www.ti.com.cn/power。

附录：图 2 的推导过程

上一篇：USB技术白皮书
下一篇：浅谈PCB元器件布局检查规则

传导损耗转换比率同步降压相关文章：

闁诲繐绻愮€氫即銆傞懜鐢碘枖闁规崘灏欓悷褰掓煕閳哄喚鏀版い鏂垮瀵偄鈻庨幋鏃€鐓犻梺瑙勪航閸斿繐鐣烽敓锟�

栏目分类