新型MOSFET在升压变换器中减少开关损耗的解决方案

（1）选用低开关损耗的MOSFET；

    （2）选用低等效串联电阻（ESR）的电容器C1和C5；

    （3）选用低等效电阻的电感线圈L1；

    （4）选用低导通电阻和低通态电压的二极管D1。

关于L1和输出电容C5数值选择可根据式（7）和式（9）求出。输出电流IO=PO/VO=70W/120V≈0.6A，开关周期Ts=1/fs=1/80kHz=12.5μs，Vi=50V，设最大占空比Dmax=0.73，代入式（7）可得：

    =2.5×10－3H=2.5mH

纹波电压Δvo=120V×1％=1.2V，VO=120V，DTs=9.1μs，设负载电阻R=200Ω，代入式（9）可得：

考虑在输出负载瞬时变化时能安全运行，可选用500μF/200V低ESR的电容器。

选用低损耗的MOSFET是提高升压变换器效率的关键一环。目前快捷公司推出的新一代MOSFET—QFET系列产品，则具有低损耗特征。