硅频率控制器（SFC） 晶体替代市场的宠儿

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在很多应用场合，电容精度取5%，从上表可看出它对频率精度的影响可达到28PPM。这在设计中容易被忽略的。

5） 其他因素：如回流焊接的影响，湿度的影响，大气压的影响等。这些因素影响不大，不再这里详述。

晶体振荡总的频率精度就是上述五个方面之和。

硅频率控制器(SFC)
 

SFC原理

由于石英材料及其振荡原理的局限性，近年来，人们不断探索用新技术来替代它。如MEMS技术，但是它的中心振荡频率不是很高（如16MHz）所以如果需要高的频率输出，必须经过一级PLL，增加了成本，相位噪音和功耗。

IDT在这一领域做了深入的研究，采用专利的CMOS谐波振荡器（CHO），推出了全硅频率控制器。它的核心是一个高频的振荡模块，根据设置不同的分频系数可得到不同的输出频率。这样，既不需要石英做为振荡源，也不需要PLL做倍频。

SFC工作状态需要电源而晶体不需要。但是，由于ASIC必须提供晶体起振电路，所以晶体也相应地增加了ASIC的能耗。

硅频率控制器(SFC)的参数

精度
硅频率控制器的频率公差在50PPM。-20-70°C频率温度特征是50PPM。硅频率控制器不使用石英，所以没有老化方面的问题。精度只需考虑两个方面即可。可参照以下表2中的例子。晶体精度的取值请参照前文的计算。

表2 两类产品的比较

从这个例子可以看出，虽然都是50PPM的频率公差和温度特征，计算出晶体的精度可达160PPM。而硅频率控制器的精度是100PPM。

最简单的设计
硅频率控制器不需要任何辅助器件即可工作。晶体必须外挂两颗电容才能正常工作，这不但节约了成本，还节约了宝贵的空间，这符合产品小型化发展的趋势。

超低供电电流

在工作状况下，供电电流是1.9mA。静态工作电流更是只有1uA。