小功率反激电源传导与辐射抑制

品的可生产性，对于高功率密度的小功率电源来说，尽量避免使用。

2.8减缓驱动

增大MOS管驱动电阻，使得MOS管的开通时间与关断时间增加，使dv/dt值变小。不过这种方式会增加开关管的开关损耗，只有在没有其他有效解决办法时推荐使用。比如MORNSUN公司的LH15XX某型号，在确定不能更改变压器结构与PCB布局情况下，只有增大驱动电阻，牺牲少许的效率来换取辐射干扰达到EN55022 CLASS B指标。

3 案例

图2是采用无锡硅动力(Si-power)SP56XX系列芯片(含抖频，降频和跳频技术)做的小功率模块电源产品（37*23*15mm），功率为5W，开关频率65KHz,通过精心的设计，在没有图1中输入EMI滤波电路和无Y电容的情况下，使产品的传导和辐射指标分别满足class A级和B级的要求，并能满足最新的能源之星V的标准，图3、图4是该产品的EMI测试图（产品通过了UL/CE认证）。由于电路简单，元件少，该系列电源在批量生产时不良率仅为50PPM。


4 结论

高功率密度是电源发展的一个方向，小功率反激电源也一样。不过由于小功率电源要求体积小，成本低，它的EMI设计受到体积、热设计和易生产性等方面的影响，可以发挥的空间已经很小。需要设计人员从开始阶段就要注意PCB布局，注重电源的结构设计与输入输出滤波网络设计，优化变压器设计，设计中期通过更改输入EMI滤波器参数进行现场调试，调试没有效果的情况下通过增加磁珠，改变驱动等牺牲其他性能的方式达到传导和辐射指标。