提高MSP430G 系列单片机的Flash 擦写寿命方法

4. 系统可靠性设计

4.1 时钟源的选择

由于驱动Flash 的时钟源（ACLK、MCLK、SMCLK）和时钟频率可以设定，为了保证在将数据写入模拟EEPROM 时的可靠性，建议在将Flash 的时钟频率降低后，再对其进行操作。例如将Flash 的时钟频率降低到1MHz 后，进行写入操作。需要注意，在降低了时钟频率后，若此时钟源也是定时器（Timer）的时钟源，则可能会影响到定时器的定时准确性，需要软件上做好处理。

4.2 代码在RAM 中运行

由于向Flash 写入数据操作是通过执行Flash 中程序代码，对Flash 进行擦除和编程操作。由于对Flash 的编程需要mcu 内部执行一个升压操作，所以如果有足够的内存空间，建议将编程、擦除等关键代码拷贝到RAM 中运行，可以使用关键字__ramfunc 指定，如下图七所示。

图七 使用关键字__ramfunc 将程序指定到Ram 中运行

5.总结
本文从软件方面，以及安全性方面探讨了使用MSP430G 系列单片机在使用Flash 模拟EEPROM方面的应用，提供了两种不同的方式供选择。两种方式都可以大幅度提高模拟EEPROM 的编写、擦除寿命，并且满足高可靠性的应用设计，用户可以结合具体的应用进行选择。