基于功率MOSFET的锂电池保护电路设计

峰为68V，失效后电流不能回零，其失效根本原因是关断太快。图6（b）为使用正确的设计、放电电阻为1K时的慢速关断波形，MOSFET的关断时间达到13.5us，电压尖峰为80.8V，但MOSFET没有失效，因此慢速关断在这种应用中可以提高短路能力。

（3）雪崩阶段

在MOSFET关断过程的后期，MOSFET通常会进入雪崩状态，如图2（b）中的雪崩阶段。关断后期MOSFET漏极电压尖峰为VSPIKE = VB + LP * di/dt，回路的引线电感LP和di/dt过大均会导致MOSFET过压，从而导致MOSFET提前失效。

功率MOSFET的选取原则

（1）通过热设计来确定所需并联的MOSFET数量和合适的RDS（ON）；

（2）尽量选择较小RDS（ON）的MOSFET，从而能够使用较少的MOSFET并联。多个MOSFET并联易发生电流不平衡，对于并联的MOSFET应该有独立的并且相等的驱动电阻，以防止MOSFET间形成震荡；

（3）基于最大短路电流、并联的MOSFET数量、驱动电压等选择合适gFS的MOSFET；

（4）考虑在关断后期的电压尖峰，MOSFET的雪崩能量不能太小。

小结

在电动车磷酸铁锂电池保护应用中，短路保护设计和整个系统的可靠性直接相关，因此不但要选择合适的功率MOSFET，而且要设计合适的驱动电路，才能保证功率MOSFET的安全工作。