一种自旋阀GMR隔离放大器的设计方案

为了解决传统光电隔离、电容隔离和变压器隔离存在的线性度及频率特性等问题，本文提出了一种自旋阀巨磁阻（GMR）隔离放大器的设计方案，本方案所设计的隔离器前端电路可将0~5 V的输入电压转换为1.4~10 mA电流，后端接收电路在增益为1时的共模抑制比为73 dB，增益可调节范围为1~200，工作带宽大于100 kHz，并采用Tanner软件对电路进行编辑、仿真与验证，隔离器具有灵敏度高、线性度好及结构简单等特点，且可以与硅等半导体电路集成。

0引言

在工业控制、高压测量及医疗设备等应用中，出于安全性的考虑，有必要在信号传输的过程中引入电气隔离，以达到减小各设备地线之间电气特性的相互影响及干扰噪声的目的。根据所需传输信号的类型，可将隔离器分为模拟信号隔离器和数字信号隔离器。其中，数字信号隔离器具有抗干扰能力强、结构简单及功耗低等特点，用做二进制信号或逻辑电平信号的隔离。模拟信号隔离器是用来隔离随时间连续变化的模拟信号。一般地，传感器的输出几乎都是微弱的模拟信号，因此，在模拟信号隔离之前要先对其进行放大。隔离放大器是一种高共模抑制比的低噪声放大电路，其比较适用于输入模拟信号与数据采集系统之间的隔离。

在隔离器外围设计相应的放大电路，就构成了隔离放大器。常见的隔离放大器有变压器隔离、电容隔离和光电隔离三种类型。其中，变压器隔离放大器有如美国ADI公司的AD202，电容隔离放大器如BURR BROWN公司的ISO122，它们都需要外加调制解调电路模块，使其结构变得复杂，而光电隔离放大器线性度较差及传输速率较低。

美国NVE公司在1998年最先推出单片式GMR隔离器，采用的是线圈产生磁场来实现隔离耦合，但只应用于数字信号隔离领域。国内GMR技术发展还处于起步时期，基于GMR技术的隔离器研究尚未成熟。在此，本文设计了一种自旋阀GMR隔离放大器，适用于微弱的模拟信号隔离，具有灵敏度高、线性度好及结构简单等特点。

1巨磁阻隔离放大器基本原理

巨磁阻隔离器是基于巨磁阻（GMR）效应的一种隔离器，所谓的巨磁阻效应，即指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。如图1所示，输入电压信号经过隔离器前端V/I放大及转换电路，输出的电流流过线圈产生与电流大小成正比的磁场，磁场被GMR传感器感应接收，电桥将输出与磁场强度成线性的电压信号，最后通过接收电路进行放大与噪声抑制，提供给后续电路处理。信号在整个隔离与传输的过程中，始终保持着完整的线性。

在图1的GMR隔离器结构中，位于底端的惠斯通电桥采用的是自旋阀GMR传感器，它具有较大的GMR效应、较低的饱和场、较高的灵敏度及较好的线性度；隔离栅为数十微米厚的聚合物或氮化硅高绝缘介电薄膜，可耐压3 000~6 000 V；处在隔离栅上面的螺旋矩形平面线圈，其电流方向相反的两个部分分别正对应下方电桥的两对角位上的巨磁电阻，线圈产生的磁场透过隔离栅，改变两对角位上的电阻的电阻态，使一个对角位上的两电阻同时为高阻态（低阻态），而另一个对角位上的两电阻同时为低阻态（高阻态）。

根据以往经验线圈的设计尺寸，线圈效率（即穿过隔离栅在GMR电桥上产生的磁场强度与流过输入线圈的电流比值）为1.7 Oe/mA.当流过线圈的电流为-10~10 mA时，电桥输出电压的线性误差小于0.05%，灵敏度达到1.27 mV/V.mA.

2电路设计与分析

图1中自旋阀GMR隔离放大器整体结构包括输入级、隔离级和输出级三部分。本文主要设计的是输入级的V/I转换电路和输出级后端接收电路，并对各电路进行各种参数仿真及验证。

2.1 V/I转换放大电路

由于传感器输出的大多是微弱的模拟电压信号，因此在输入隔离器线圈之前，需要对其进行放大和V/I转换，其转换电路如图2所示。它是将输入的电压信号转换成满足一定关系的电流信号，在一定的负载变化范围内输出电流能够保持稳定（与负载无关），即具有恒流源特性。

为了降低功耗和保证输出良好的线性度，本电路将输入幅值为0~5 V的电压信号转换为0~10 mA的电流信号。设放大器A的同相端电压为V+，反相端电压为V-，晶体管Q1的基极电流为Ib，流过负载RL的电流为Io，根据晶体管Q1三端电流关系得到：

式中VCM为输入偏置电压。从式（4）中可以看出，输出电流仅与输入电压和电阻RW有关，与负载RL无关，因此，当输入不同频率的的信号时，输出电流不会因为线圈阻抗的变化而发生改变，在保证信号传输线性度的同时，也为后端接收电路恢复原信号的设计提供了条件。

满足式（3）的前提条件是A必须为理想运算放大器，即要求其具有无穷大的开环增益、高输入阻抗、低输出电阻及高共模抑制比等，本运算放大器采用的是简单两级放大电路，如图3所示。