基于PT4201的离线式LED射灯设计方案

图5省略RC滤波器

由于变压器副绕组整流电路反向恢复时间以及初级绕组寄生电容等因素影响，在每一个PWM周期开启瞬间会在采样电阻上产生一个持续时间很短的尖峰电压。为此PT4201会在MOSFET开启后屏蔽CS采样输入一段时间TBLK，在这段时间内，过流保护被关闭不会关掉外部MOSFET.这样可以避免MOSFET开启瞬间在采样电阻上产生的电压毛刺而造成误动作。PT4201提供的这种功能可以省去电流采样电路所需的RC滤波器（图5）。

VDD过压保护

当系统发生严重故障时，例如对于光耦开路或者反馈开路的情况，光耦输出电流接近零致使FB端电压上升。FB电压上升将会使PT4201工作在过流保护状态，因为有多余的电流供给负载，如果超出了负载所需电流大小会使输出电压迅速爬升。由于辅助绕组的电压与输出电压成一定的比例，输出电压升高引起辅助绕组电压升高进而使VDD电压升高，当PT4201检测到VDD引脚电压达到过压保护点时会关闭PWM.当OVP被触发时由于没有能量供给负载及辅助绕组，VDD电压和输出电压下降，当降低到OVP解除电压时将重新开启正常工作。这时如果故障解除则正常工作，如果故障依然存在将重新进入OVP保护状态（图6）。

图6 VDD过压保护

OUT输出驱动：

PT4201的OUT脚用来驱动功率MOSFET的栅极。优化设计图腾柱形式输出的驱动能力使驱动强度和EMI得到良好的折衷。同时，OUT的输出高电位被限制到了18V，从而可以保护由于VDD升高可能对MOSFET造成的损伤。内部OUT和GND之间有一个电阻，可以在芯片不工作时将外部MOSFET的栅极可靠置为0电位。

基于PT4201的E27 3W离线式射灯方案

基于PT4201的E27 3W离线式射灯方案应用线路是典型的反激式的拓扑结构，采用副边反馈（即光耦反馈），以提高输出电流精度。相比于原边反馈电路电流精度+-5%，副边反馈的电路精度在+-2%以内，成本只增加了0.3RMB，但却给大批量生产时提供了便利。

图7基于PT4201的E27 3W离线式射灯方案

3W E27的应用一般负载接3颗1W的LED，每颗LED的VF在3.4V+-0.2V左右。一般电流为300mA-350mA.工作原理如图7所示，AC85V-265V交流电输入，通过L1（相当于一个保险丝，抗浪涌）后接入整流桥，从整流桥出来的电压大约为1.4XVin，电流1A左右。

C1是一个滤波电容，电容值的选择大约是负载功率的1-3倍即可，此处3W的应用采用4.7uF的电容，如选择太小的会导致纹波大，选择太大的空间又不允许。PT4201的VDD端一开始由R4降压后供电，18V启动，启动之后就通过变压器辅助绕组供电，电压在9-27V之间。R1、C3和D2是一个RCD吸收回路，用来吸收Q1开关时产生的尖峰。减小R1，可以提高吸收效果，但是会导致系统效率降低，建议采用折衷的方式。

PT4201的RI端所接电阻R7是用来设定开关频率的，此处把频率设定在65kHz.PT4201的CS端连接采样电阻R8、R9，设置电流。

变压器是一个重要的部件，采用反激式的拓扑结构，当Q1关断时，变压器5、6断导通，D1的耐压为变压器输入电压/匝数比+变压器输出电压。当Q1开时，变压器1、2端有电流，3、4、5、6端截止，D1的耐压为变压器输出电压X匝数比+变压器输入电压。D1、T1、Q1是影响效率的关键，D1反向耐压与T1匝数比互相牵制。

电路右边SR1100是一个肖特基二极管或者可采用快恢复二极管整流。当空载时，R3是一个限流电阻，限制这条支路上的电流在10mA，D4在这里选用12V稳压管，起到一个整流限压的作用，在空载时才工作，R2是一个分流电阻，R2上流过的电流为10mA，R2左端的电压为1V.带负载时，R6两端的电压为1V左右，通过选择电阻值不同调节输出电流，这是1X3W的应用，工作电流设定在300mA左右。

U2是光耦，当R6上的电流变大时，发光二极管上的电流变大，光敏电阻感应到之后，反馈电流到PT4201FB端，FB端电压变小，PT4201通过调整占空比来使能量降低，随之降低R6上的电流。由于是从输出端采样电流反馈到芯片，这样的副边反馈，实时对电流进行微调，提高了输出电流的精度。

图8 3W E27方案的照片，体积很小，放入E27灯头绰绰有余

改变这个方案的部分设计数据，可以设计5W、7W、12W的各种方案，工作原理雷同。由于5W-12W的应用空间较大，所以允许在3W的基础上加上一些辅助电路。如增加抗雷击器件、可以提高EMC的共轭电感、PFC、∏滤波器等等，以提高整个电路过EMC的能力、工作效率、PFC.