利用工程加工基板实现晶体管微缩化之途径

目前已经实现大量生产。而在FinFET的条件下，FD-3D基板不仅确保了优秀的鳍片高度可复制性，而且确保了高效的鳍片定义流程（fin-definition process），与同类的bulk设计相比实现了大幅度的简化。在FD-SOI的例子中，FD-2D基板甚至可以实现那些对厚度控制要求最为严苛的技术。与FinFET相比，平面FD-SOI可实现与所应用基底偏压动态适应的，良好的功耗优化。此外，在氧化埋层下方的参杂接地面也提供了一种多阈值电压管理的有效选择。

图2：300mm 基板硅晶圆厚度的测量

图2显示出Soitec先进的基板厚度的一致性，误差低于0.5nm。目前的生产线能够生产带有各种点的基板，所有的晶圆的误差都控制在+/- 0.5nm范围内。这些基板已经可以在全耗尽时代实现CMOS的进一步微缩化。