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开关电源变压器屏蔽层抑制共模EMI的研究

时间:01-13 来源:互联网 点击:

0 引言

电磁兼容(Electro magnetic Compatibility,EMC)是指电子设备或系统在电磁环境下能正常工作,且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。它包括电磁干扰(EMI)和电磁敏感(EMS)两方面。由于开关电源中存在很高的di/dt和du/dt,因此,所有拓扑形式的开关电源都有电磁干扰的问题。目前克服电磁干扰的技术手段主要有:在电源的输入、输出端设置无源或有源滤波器,设置屏蔽外壳并接地,采用软开关技术和变频控制技术等。

开关电源中,EMI产生的根本原因在于存在着电流、电压的高频急剧变化,其通过导线的传导,以及电感、电容的耦合形成传导EMI。同而电流、电压的变化必定伴有磁场、电场的变化,因此,导致了辐射EMI。本文着重分析变压器中共模传导EMI产生的机理,并以此为依据,阐述了变压器中不同的屏蔽层设置方式对共模传导EMI的抑制效果。

1 高频变压器中传导EMI产生机理

以反激式变换器为例,其主电路如图1所示。

开关管开通后,变压器一次侧电流逐渐增加,磁芯储能也随之增加。当开关管关断后,二次侧整流二极管导通,变压器储能被耦合到二次侧,给负载供电。


图1 反激变换器

在开关电源中,输入整流后的电流为尖脉冲电流,开关开通和关断时变换器中电压、电流变化率很高,这些波形中含有丰富的高频谐波。另外,在主开关管开关过程和整流二极管反向恢复过程中,电路的寄生电感、电容会发生高频振荡,以上这些都是电磁干扰的来源。开关电源中存在大量的分布电容,这些分布电容给电磁干扰的传递提供了通路,如图2所示。图2中,LISN为线性阻抗稳定网络,用于线路传导干扰的测量。干扰信号通过导线、寄生电容等传递到变换器的输入、输出端,形成了传导干扰。变压器的各绕组之间也存在着大量的寄生电容,如图3所示。图3中,A、B、C、D4点与图1中标识的4点相对应。


图2 反激式开关电源寄生电容典型的分布


图3 变压器中寄生电容的分布

在图1所示的反激式开关电源中,变换器工作于连续模式时,开关管VT导通后,B点电位低于A点,一次绕组匝间电容便会充电,充电电流由A流向B;VT关断后,寄生电容反向充电,充电电流由B流向A。这样,变压器中便产生了差模传导EMI。同时,电源元器件与大地之间的电位差也会产生高频变化。由于元器件与大地、机壳之间存在着分布电容,便产生了在输入端与大地、机壳所构成回路之间流动的共模传导EMI电流。

具体到变压器中,一次绕组与二次绕组之间的电位差也会产生高频变化,通过寄生电容的耦合,从而产生了在一次侧与二次侧之间流动的共模传导EMI电流。交流等效回路及简化等效回路如图4所示。图4中:ZLISN为线性阻抗稳定网络的等效阻抗;CP为变压器一次绕组与二次绕组间的寄生电容;ZG为大地不同点间的等效阻抗;CSG为输出回路与地间的等效电容;Z为变压器以外回路的等效阻抗。


图4 变压器中共模传导EMI的流通回路

2 变压器中共模传导EMI数学模型

以图3所示的变压器为例,最上层一次绕组与二次绕组间的寄生电容最大,是产生共模传导EMI的主要原因,故以下主要分析这两层间分布电容对共模传导EMI的影响,忽略变压器其他绕组对共模传导EMI的影响。

设一次绕组有3层,每层m匝,二次绕组仅一层,为n匝。当变压器磁芯中的磁通发生变化,便会同时在一次侧和次级产生感应电动势。根据叠加定理,可认为这是仅一次绕组有感应电动势、二次绕组电动势为零和仅二次绕组有感应电动势、一次绕组电动势为零两种情况的叠加。仅一次绕组有感应电动势、二次绕组电动势为零的情况如图5所示。图5中:e1为每匝一次绕组的感应电动势;C1x为一匝最外层一次绕组与二次绕组间的寄生电容。


图5 仅一次绕组有感应电动势的情况

在此情况下,由一次侧流向次级的共模电流为:

在仅二次绕组有感应电动势、一次绕组电动势为零的情况如图6所示。图6中:e2为每匝二次绕组的感应电动势;C2x为一匝二次绕组与一次绕组最外层间的寄生电容。


图6 仅二次绕组有感应电动势的情况

在此情况下,由次级流向一次侧的共模电流为:


根据叠加原理,可得在一次侧最外层绕组和次级间流动的共模电流:



3 屏蔽绕组抑制共模传导EMI原理

根据图3所示的结构。绕制变压器,并在交流整流滤波后增设13mH差模滤波电感和6.8差模滤波电容,对开关电源进行传导EMI测试,结果如图6所示。由图6可见,传导EMI非常严重,不能通过电磁干扰测试。在交流整流前增设35mH共模滤波电感,传导EMI测试结果如图7所示,产品即可通过测试。比较测试结果可得出:在图3所示的电路中,主要是由于大量共模传导EMI

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