高速CMOS钟控比较器的设计

容和自偏置差分放大器之间的隔离。

图3所示是一个自偏置的差分放大器，它包括两个差分放大器，每一个均作为另一个的负载。M15和M16的栅极没有连接到外部偏置，而是连接到M17和M18的漏级，形成负反馈环路，来实现差分放大器尾电流的自适应。M15和M16工作在线性区，可以获得大的输出电压摆率，使得输出电压直接转换到数字逻辑电平。当M17和M18的栅极电压增大时，M17和M18的漏级电压下降，并使M15导通，电流增大，这个电流通过M19流向连接在M19和M20漏极的输出电容。在这种情况下，M16的电流为零。当M17和M18的栅极电压下降时，M16导通，那么大电流经过输出电容通过M16泄露。因此，这一结构的电路具有吸入和供出大电流的能力， 且没有静态电流，这个特性非常适合于高速比较器的应用。

图3　自偏置差分放大器

2　电路的优化设计

2. 1　速度优化

比较器的工作速度与预运放的增益、时间常数和判断级的时间常数有关。图4给出了预运放交流小信号等效电路图。

在该电路中， gm1 = gm2 ， gm3 = gm4 ， gm5 = gm6 ， CA =CB ，由图可得预运放的传输函数为:

从式(2)可以看出，只要gm5小于gm3 ，预运放的极点就在左半S 平面， 系统将是稳定的。预运放的直流增益为:

从式(4)可看出，由于添加了交叉耦合负载M3和M4 ，预运放的增益提高了gm3 / ( gm3﹣ gm5 )倍， 只要调整M3、M4 与M5、M6 的宽长比， 即调整gm3与gm5之比，就可方便地调整预运放的增益提升量。

从式( 2) 还可以看出， 预运放的时间常数为CA / ( gm 3﹣ gm5 ) ，降低预运放的时间常数需要减小预运放输出端的电容， 同时合理选择差分对管的偏置电流并适当提高gm5与gm 3的差。

图4　预运放交流小信号等效电路图。

当时钟信号CLK为低电平时，判断级的等效电路如图5所示。其中Vi9和Vi10分别为M9 和M10漏极的初始电压， C9、R9 和C10、R10分别为M9、M10管漏级到地的电容与电阻，理想情况下M9 和M10完全对称， R9 = R10 = R， C9 =C10 =C。

图5　( a)判断级等效原理图， ( b)小信号等效模型。

由图5 ( b)小信号模型得到比较器传输延时的时间常数为:

其中τ= RC， Iss为判断级的尾电流源(M14 )电流。根据式(5) ，为了减小时间常数提高比较器的速度，一般可以采用最小尺寸的沟道长度， 此外还可以增大判断级的尾电流，但这也会带来功耗增加和输入共模范围减小等不利因素。

2. 2　失调电压

比较器的失调电压主要来源于预运放的失调电压。它主要是由MOS管阈值电压的失配和电流的失配引起的，它的标准差如下式

其中：

式中，δ21， 2是预运放输入差分对失调电压的标准差，δ23， 5是预运放负载管失凋电压的标准差; AVTN ， AVTP ，AβN ， AβP分别是NMOS管和PMOS管工艺模型中阈值电压的失配因子和电流的失配因子。从式( 6) 、(7) 、(8)可以看出，减小预运放输入差分对管和负载管的过驱动电压，并适当增加它们的面积可有效地减小输入失调电压。但同时增大了漏极电容，降低比较器的速度。因此，比较器的设计需要在功耗、速度和精度之间进行折中。

3　电路仿真

通过以上分析，使用Hsp ice进行仿真与优化，最终确定比较器的核心电路(预运放与判断级电路)内各晶体管尺寸如表1所示。

表1　比较器核心电路各晶体管的宽长比

在电源电压1. 8 V、SM IC 0. 18μm CMOS工艺模型下，采用Hsp ice对前面设计的比较器电路进行仿真。为了检验比较器在各种工作情况下输出的正确性，在比较器的输入端加上幅度和极性随时间变化的信号作为测试信号，工作时钟频率为500MHz，仿真波形如图6所示。图6 ( a) 、( b)中第一栏是时钟控制信号CLK，第2栏是输入信号Vin和参考电压Vref ，第三栏是比较器的输出信号Vout。通过对仿真结果进行分析，在输入信号为具有大跳变极端信号(在基准参考电压0. 8 V 下，两信号为0. 81、0 V或是0. 79、1. 8 V)的情况下，比较器的最小精度为±0. 3 mV (基准电压1 V) ，仿真结果验证了比较器功能的正确性。

图6　比较器整体仿真波形

4　结论

本文设计了一个基于1. 8 V电源电压、时钟频率可以达到500MHz的高速钟控电压比较器，采用预放大级、判断级、输出缓冲级结构，每一级的电路结构简单，通过对各个部分电路的特点进行分析，优化了前置放大器的晶体管的尺寸，实现了高速、高精度、低功耗的要求。在SMIC 0. 18μm CMOS工艺模型下，采用Hspice对电路进行仿真，结果表明在500 MHz的时钟频率下，比较精度可达0. 3 mV，功耗仅为26. 6μW，该电路可以应用在高速Flash ADC电路中。