LED恒流驱动器件MOSFET选择

的稳态结区温度可表达为：

T_{J}=P_{D}R_{ JC}+T_{C}

　　其中，T_{J}：结区温度；T_{C}：管壳温度；P_{D}：结区能耗；R_{ JC}：稳态下结区至管壳的热阻。

　　不过在很多应用中，功率 MOSFET 中的能量是以脉冲方式耗散，而不是直流方式。当功率脉冲施加于器件上时，结区温度峰值会随峰值功率和脉冲宽度而变化。在某指定时刻的热阻叫做瞬态热阻，并由下式表达： Z_{ JC}(t)=r(t) R_{ JC}

　　这里，r(t)是与热容量相关，随时间变化的因子。对于很窄的脉冲，r(t)非常小；但对于很宽的脉冲，r(t)接近1，而瞬态热阻接近稳态热阻。

　　有时输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOSFET管的驱动电压是不稳定的。为了让MOSFET管在高gate电压下安全，很多MOSFET管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。

　　MOSFET导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。4V或10V是常用的MOSFET的导通电压，设计时需要选择合适。合适的门电压会使得导通时间快，导通电阻小。 目前市场上也有低电压驱动MOSFET，但耐压都较低，可以选择用在串接要求不是很高的场合。

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