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电源装置的接地系统

时间:11-09 来源:电子发烧友 点击:

的是接触电阻和散流电阻。故降低接地电阻阻值应从这两部分开展工作,从接地体的最佳埋设深度、不等长接地体技术及化学降阻剂等方面来讨论降低接触电阻和散流电阻的方法。

1、垂直接地体的最佳埋设深度

垂直接地体的最佳埋设深度,是指能使散流电阻尽可能小,而又易达到的埋设深度。决定垂直接地体最佳深度,应考虑到三维地网的因素。所谓三维地网是指接地体的埋设深度与接地网的等值半径处于同一数量级的接地网(即埋设深度与等值半径之比大于1/10)。在可能的范围内埋设深度应尽可能取最大值,但并不是埋设深度越深越好,如果把垂直接地体近似为半球接地体,其电阻为:

R=ρ/2πr=ρ/2πL

式中:ρ-土壤电阻率;

L-垂直接地体的埋设深度。

从式中可见,R与L成反比,为使R减小,L越大越好,但对上式偏微分:

aR/aL=-ρ/2πL2

可以得出,随着L的增大,降阻率aR/aL与L2成反比下降,当增大L到一定程度后,基本上呈饱和状态,降阻率已趋近于零。垂直接地体的最佳埋设深度不是固定的,在设计中应按接地网的等值半径、区域内的地质情况来确定,一般取1.5m~2.5m间为宜。

2、不等长接地体技术

由于在接地网中各单一接地体埋设的间距,一般仅等于各单一接地体长度的两倍左右,此时电流流入各单一接地体时,受到相互的制约而阻止电流的流散,即等于增加了各单一接地体散流电阻,这种影响电流流散的现象,成为屏蔽作用。如图所示。由于屏蔽作用,接地体的散流电阻并不等于各单一接地体散流电阻的并联值,此时,接地体组的散流电阻为:

Ra=RL/nη

式中:

RL-单一接地体的散流电阻;

n-接地体组并联单一接地体的根数;

η-接地体的利用系数,它与接地体的形状和位置有关。

从理论上说,距离接地体20m处为电气上的"地",即两接地体间距大于40m时,可以认为接地体的利用系数η为1。但在接地网的接地体的布置上,是很难作到两个单一接地体相距40m,为解决在设计实践与理论分析中的矛盾,采取不等长接地体技术,以便取得良好的效果。不等长接地体技术,即为各垂直接地体的长度各不相等,在接地体的布置上,采取垂直接地体布置为两长一短或一长两短,以使接地体组间的屏蔽作用减小到最小程度。不等长接地体技术,从理论上到实践中应用,都较好地解决了多个单一接地体间的屏蔽作用问题,提高了各单一接地体的利用系数,降低接地体组的散流电阻。

3、化学降阻剂的应用

化学降阻剂的降阻机理是,在液态下从接地体向外侧土壤渗出,若干分钟固化后起着增大散流电极接触面积的作用。因降阻剂本身是一种良好的导体,将它使用于接地体和土壤之间,一方面能够与金属接地体紧密接触,减小接地体与土壤的接触电阻,形成足够大的电流流通截面;另一方面,它能向周围的土壤渗透,降低土壤的电阻率,在接地体周围形成一个变化的低电阻区域。从而显著扩大接地体的等效直径和有效长度,对降低接触电阻及散流电阻有着明显效果。如JZG-02型长效防腐降阻剂的使用寿命可达20年以上,在其寿命周期内性能稳定,不需要维护保养,仍能具有良好的电解质性能和吸水性,保持其良好的物理化学机理。

五、结束语

电源装置接地的设计,要根据电源装置的技术要求和所处地区的地理、地质条件,采取不同的措施,以最高的性能价格比,并尽量采用新技术和新材料来设计。因 "接地工程学"是一门多学科的边缘学科,它涉及到地质、电磁场理论、电气测量、应用化学、钻探技术、施工技术等多门学科,故仍需要在今后的工作中去研究,在实践中不断的探索,以确保电源装置的安全可靠运行。

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