开关电流电路延迟线的设计

所有NMOS衬底接地，所有PMOS衬底接电源，所有开关管宽长比均为0．5μm／O．5 μm。输入信号为振幅50μA，频率为200 kHz的正弦信号，时钟频率为5 MHz，Vref=2．4 V，VDD=5 V。表1中给出了主要晶体管仿真参数。

　　将原电路按照延迟线的结构连接并仿真，延迟3个时钟周期(相当于6个基本存储单元级联)，仿真结果如图l所示。

　　4 结语

　　详细分析了第二代开关电流存储单元存在的缺点，提出了改进方法，并设计了可以延迟任意时钟周期的延迟线电路，仿真结果表明，该电路具有极高的精度，从而使该电路能应用于实际当中。其Z域传输函数为，在实际应用中，该电路可作为离散时间系统的基本单元电路。

　　由于开关电流技术具有与标准数字CMOS工艺兼容的特点，整个电路均由MOS管构成，这一技术在以后的数模混合集成电路中将有广阔的发展前景。