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正确选择低噪声放大器(LNA)

时间:03-29 来源:电子系统设计 点击:

与双极型设计相比,JFET输入低噪声放大器具有超低输入电流噪声密度(0.5fA/√Hz),但输入电压噪声密度相对较大(大于10nV/√Hz),JFET设计允许单电源工作。1pA的输入偏置电流使JFET放大器非常适合高阻抗信号源应用。但是,由于JFET放大器的电压噪声较大,在源阻抗较低的应用中,它通常不是设计工程师的首眩

CMOS输入放大器

新型CMOS输入低噪声放大器能够提供与双极型设计相当的电压噪声指标。CMOS输入放大器的电流噪声与最好的JFET输入设计相当,甚至优于JFET输入放大器。例如,MAX4475具有低输入电压噪声密度(4.5nV/)和低输入电流噪声密度(0.5fA/),单电源供电时可提供超低失真(0.0002% THD+N)。这些特性使得CMOS输入放大器成为低失真、低噪声应用(如音频前置放大器)的最佳选择。另外,CMOS输入放大器允许非常低的输入偏置电流、低失调电压和非常高的输入阻抗,能够满足源阻抗较高的信号调理,如:图3所示的光电二极管前置放大电路。图4所示为用于16位DAC输出的缓冲器。


图3. 采用CMOS输入的低噪声放大器具有非常低的偏置电流和失调电压,以及非常高的输入阻抗。这些器件非常适合源阻抗较高(如光电二极管前置放大器)的信号调理。


图4. 低噪声性能和低输入偏置电流使得CMOS输入放大器成为16位DAC输出缓冲器的理想选择。

结论

没有一种放大器能够适合所有应用。表1总结了三种常见放大器设计的典型噪声参数。


比较所有的噪声源,可以看出:新型CMOS输入放大器(例如MAX4475)能够为较低频率的模拟应用和绝大多数前端应用提供最佳的噪声指标,特别是高源阻抗、宽带设计。

发布者:小宇

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