NexFETTM：新一代功率MOSFET

时间：01-11 来源：EDN 点击：

图 4. 服务器应用中同步降压转换器效率

　　图 5 显示 NexFET 解决方案与先进沟槽 FET 芯片组中 12V 同步降压转换器在功率损耗与切换频率的相互关系比较。总结而言，转换器的效率可维持在切换频率的 90% 以上 (功率损耗为 3W)，而使用 NexFET 装置可将切换频率从 500kHz 增加到 1MHz。驱动条件经过最佳化后，便能够将此频率实际增加到 1MHz 以上。

图 5. 高切换频率、支持 NexFET的转换器运作

摘要及展望

　　针对理想开关的需求，NexFET 技术可提供下列功能：

　　特定 RDS(on) 能够与最新沟槽 FET 媲美
　　更低的 CISS 及 CGD 可提升 FOM
　　大幅改善切换损耗及驱动器损耗
　　CGD 与 CISS 的比率近似于沟槽 FET，但是绝对 CGD 值相当小，而且通过米勒电容 (Miller capacitance) 将电荷回馈的总数降至最低，可提升击穿效应的抗扰度。

　　体二极管的 Qrr 相当近似，但是可以更加重NexFET 晶体管的切换，而且可以大幅缩短驱动器所导致的停滞时间 (dead time)。

　　只要将 NexFET 芯片组置入既有系统中，即可观测出转换器效率方面的独特优点。NexFET 技术能够使转换器以更高的切换频率进行运作，最终使滤波器组件的体积与成本降至最低。

　　References

　　For more information about NexFET, visit: www.ti.com/mosfet.

发布者：博子

上一篇：电池电量的两种测试方法
下一篇：新型锂离子电池完全充电的电路

PWM 电气开关稳压器 MOSFET 相关文章：

栏目分类