高性能CMOS集成电压比较器设计
时间：10-07
来源：EDN
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4 结 语
在CSMC O．5μm CMOS工艺条件下，采用预放大器、锁存比较电路和输出缓冲级级联的锁存比较电路结构，设计了一个高速、高精度的高性能集成电压比较器，它具有低输入失调电压、低功耗的特点。完成从电路原理图设计到版图设计和验证(DRC，LVS)以及工艺角仿真和分析的整个设计流程。从仿真结果可以看出，这一高性能电压比较器适用于高速A／D转换器、高速数据传输器及高性能切换功率调节器等设备中。
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