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新型脉冲氙灯起辉预燃电源的研制

时间:06-12 来源:21IC 点击:

3.1 起辉预燃主电路

新型预燃电源的主电路如图3所示。功率开关器件Q1、Q2组成推挽变换器;高频变压器T1组成升压环节,如图3(a)所示;电感L2、电容C6和电感L3、L4构成的高频耦合升压互感器组成高压起辉环节,如图3(b)所示;二极管D3~D6组成输入输出整流滤波环节。

交流220V电压经过变压器隔离整流滤波后为125V,作为推挽变换器输入的直流电压。推挽变换器选用功率MOSFET器件IRF460。电容C1、电阻R1和二极管D1构成尖峰吸收电路,在器件瞬间关断时,吸收开关器件及线路上的尖峰电压,减少功率MOS管关断时的电压应力,C1=0.01μF,R1=3.6kΩ,二极管D1耐压大于500V,选择UF4007。

(a) 预燃主电路

(b) 起辉主电路
图3 起辉预燃电路


3.2 高频变压器设计

高频变压器的磁芯选用软磁铁氧体,磁通密度通常选用Bm=0.2T。变压器原端输入电压Ui=125V,工作占空比为0.25。副端最大输出电压为1000V,预燃电压为250V,预燃维持电流I=0.1A。原副端的匝数比为n=N1/N2=125/1000=1/8。铁心有效面积S为2cm2,根据公式(1)

(1)

计算得: ;N2=176。
取变压器的绕组电流密度j=3A/mm2;输出功率P0=U0I0=250×0.1=25W;输入功率为Pi=P0/0.9=28W;原端工作电流 ;所需的绕组导线截面积为=0.3mm2。

原端电流较大,如果选择单股绕线则有效面积直径D=0.62mm,线径较大,趋肤效应严重,因此采用多股导线并绕。原端采用5股并绕,每股导线的截面积S=0.3/5=0.06mm2,每股的线径D=0.28mm。副端采用单股绕制,所需的导线电流截面积为S=0.1/3mm2,线径D=0.22mm。

3.3 输出滤波器

变压器副端整流桥的最高电压为1000V。二极管耐压应大于1000V,选择36MB160A。整流电路中的电容一般采用电解电容,起到平滑滤波,减少直流电压中的交流成分。如果选择的滤波电容太小,滤波后的直流电压脉动会较大,为了得到所要求的输出电压,需要较大的占空比调节范围和过高的闭环增益,滤波后的直流电压最小值也比较小,要求高频变压器原副边匝比变大,并使开关管中的电流增加,输出整流二极管的反向电压增加;如果选择的滤波电容太大,充电电流脉冲宽度变窄,幅值增大,导致EMI增加。由于高频变压器的输出电压纹波频率较高,可以选择较小的滤波电容值。电阻R3和电容C3串联构成吸收电路,电感L1和电容C4起滤波作用。经计算,R3=4.7kΩ/2W,C3 =1000pF/3kV,C4=0.01μF/3kV,L1 =2mH。

3.4 高压起辉电路

脉冲氙灯通过高压起辉电路提供的高压击穿气体,使氙灯内气体击穿。常闭触点继电器S闭合时,稳压管D10被短路,电容C6充电至600V,充电完毕后继电器S断开,稳压管D10给电容C5 充电,直至双向触发管D11导通,从而可控硅VT1导通,电容C6和耦合电感L3发生串联谐振,使耦合电感L4两端产生高的起辉电压,脉冲氙灯内气体被击穿。

D10的稳压值为50V。双向触发二极管D11的触发电压为35V。电阻R7=510Ω和R8=4.7kΩ串联分压。R5起分压作用。电阻R9限制电容C6的充电电流。C6的耐压值应大于1kV,取C6=1μF/1200V。电阻R6=3.6kΩ、R10=22MΩ为电容的放电电阻。L2为限流电感,取值1μH。L3=48μH,L4=6.5mH。二极管D12、D13提供谐振回路。

3.5 控制电路设计

控制芯片UC3825的集成度很高,电路设计主要针对外围电路参数进行。外围电路包括电压误差比较补偿网络、振荡输入、限流保护、输出尖峰电压吸收电路。UC3825采用峰值电流控制模式,电压误差反馈作为电流峰值的给定,与采样电流进行比较,生成PWM驱动信号。

控制电路如图4所示。此电路按照最大输出占空比设计,因此,芯片的同相输入端2通过限流电阻R11连接参考电压输出引脚16,反相输入端1则连接地。引脚5的时基电阻R14和引脚6的时基电容C12决定输出信号的频率f和最大占空比DMAX。输出引脚11和14分别输出有死区时间互补的PWM驱动信号。限流电阻R17=R18=100Ω,电阻R19=1kΩ,稳压二极管D18为18V,构成尖峰电压吸收电路。

图4 控制电路


(1) 振荡参数选择

UC3825的振荡器是锯齿波形,由RT管脚连接的电阻值和CT管脚连接的电容值确定的电流大小决定输出锯齿波的上升沿时间。锯齿波的下降沿时间决定输出死区时间[7]。最大输出占空比DMAX由R14的值确定,根据PWM的输出频率f=50kHz和最大占空比DMAX=0.92来计算C12的值。由公式计算得:



(2) 限流保护设计

限流保护信号采样于主回路功率开关器件Q1、Q2上的瞬时电流,稳压二极管D20为3.6V,采样电阻R21=0.5Ω/2W上的电压对电容C16和C17充电。当充电电压大于内部限流电压1V时,芯片UC3825降低PWM脉冲的占空比限制主回路的电流峰值;当充电电压大于内部保护电压1.2V时,芯片UC3825关断PWM脉冲输出,器件自锁。限流电阻R16=1kΩ,C16=1000pF,C17=330pF。

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