用监控开关模式占空比的方法诊断LED
时间:06-03
来源:EDN
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工程师们一般通过监控HB LED(高亮度发光二极管)的正向电压VF来判断LED的好坏。正向电压的大幅变化可能表明一只或一串LED有品质退化,或完全损坏。对于多只串联的LED,其正向电压之和可以达到40V以上,如果电压不是以地为基准,则需要差动测量。除了大电压和差动测量的挑战以外,HB LED经常采用PWM(脉冲宽度调制)作调光。如果这样,就不能在低PWM占空比期间测出正向电压,因为此时LED不发光,不存在正向电压。对于一个驱动三只串联LED的迟滞降压LED驱动器,必须在Dim脚为高时,测量连接串的正负极间电压。
图1对于驱动三支串联LED的迟滞降压LED驱动器必须测量当Dim脚为高时的正负极电压。 为避免差动高电压测量的要求,可以采取在DRV脚直接测量占空比的方法。对此款LED驱动器,对LED串正向电压的一阶估算为VF=D×VIN,其中D是IC开关模式部分产生的内部占空比;不要将此占空比与Dim脚相混淆。将驱动信号参考到大地,并将其限制在5V供电电压VCC。这种情况允许采用低压ADC或比较器,此时LED驱动器的VCC输出(最大10 mA)可为之提供电能。
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