三相超快恢复二极管整流桥开关模块

　0 引言

　　模块化结构提高了产品的密集性、安全性和可靠性，同时也可降低装置的生产成本，缩短新产品进入市场的周期，提高企业的市场竞争力。由于电路的联线已在模块内部完成，因此，缩短了元器件之间的连线，可实现优化布线和对称性结构的设计，使装置线路的寄生电感和电容参数大大降低，有利于实现装置的高频化。此外，模块化结构与同容量分立器件结构相比，还具有体积小、重量轻、结构紧凑、外接线简单、便于维护和安装等优点，因而大大缩小了装置的何种，降低装置的重量和成本，且模块的主电极端子、控制端子和辅助端子与铜底板之间具有2．5kV以上有效值的绝缘耐压，使之能与装置内各种模块共同安装在一个接地的散热器上，有利于装置体积的进一步缩小，简化装置的结构设计。

　　常州瑞华电力电子器件有限公司根据市场需求，充分利用公司近二十年来专业生产各类电力半导体模块的工艺制造技术，设计能力，工艺和测试设备以及生产制造经验，于2006年开发出了能满足VVVF变频器、高频逆变焊机、大功率开关电源、不停电电源、高频感应加热电源和伺服电机传动放大器所需的"三相整流二极管整流桥开关模块"(其型号为MDST)的基础上，近期又开发出了"三相超快恢复分公司极管整流桥开关模块"(其型号为MFST)，由于这种模块与采用3～5普通整流二极管相比具有反向恢复时间(trr)短，反向恢复峰值电流(IRM)小和反向恢复电荷(Qrr)低的FRED，因而使变频的噪音大大降低，从而使变频器的EMI滤波电路内的电感和电容尺寸减小，价格下降，使变频器更易符合国内外抗电磁干扰(EMI)标准。

　　1 模块的结构及特点

　　FRED整流桥开关模块是由六个超快恢复二极管芯片和一个大功率高压晶闸管芯片按一定电路连成后共同封装在一个PPS(加有40％玻璃纤维)外壳内制成，模块内部的电联接方式如图1所示。图中VD1～VD6为六个FRED芯片，相互联成三相整流桥、晶闸管T串接在电桥的正输出端上。图2示出了模块外形结构示意图，现将图中的主要结构件的功能分述如下：

1)铜基导热底板：其功能为陶瓷覆铜板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道，并作为整个模块的结构基础。因此，它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接，又因它们之间热线性膨胀系数(铜为16．7×10-6／℃，DBC约不5．6×10-6／℃)相差较大，为此，除需采用掺磷、镁的铜银合金外，并在焊接前对铜底板要进行一定弧度的预弯，这种存在s一定弧度的焊成品，能在模块装置到散热器上时，使它们之间有充分的接触，从而降低模块的接触热阻，保证模块的出力。

　　2)DBC基板：它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成，它具有优良的导热性、绝缘性和易焊性，并有与硅材料较接近的热线性膨胀系数(硅为4．2×10-6／℃，DBC为5．6×10-6／℃)，因而可以与硅芯片直接焊接，从而简化模块焊接工艺和降低热阻。同时，DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形，以用作主电路端子和控制端子的焊接支架，并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘，使模块具有有效值为2．5kV以上的绝缘耐压。



　　3)电力半导体芯片：超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护，并在模块制作过程中再涂有RTV硅橡胶，并灌封有弹性硅凝胶和环氧树脂，这种多层保护使电力半导体器件芯片的性能稳定可靠。半导体芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有经表面处理的钼片或直接用铝丝键合作为主电极的引出线，而部分连线是通过DBC板的刻蚀图形来实现的。根据三相整流桥电路共阳和共阴的连接特点，FRED芯片采用三片是正烧(即芯片正面是阴极、反面是阳极)和三片是反烧(即芯片正面是阳极、反面是阴极)，并利用DBC基板的刻蚀图形，使焊接简化。同时，所有主电极的引出端子都焊在DBC基板上，这样使连线减少，模块可靠性提高。

　　4)外壳：壳体采用抗压、抗拉和绝缘强度高以及热变温度高的，并加有40％玻璃纤维的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料组成，它能很好地解决与铜底板、主电极之间的热胀冷缩的匹配问题，通过环氧树脂的浇注固化工艺或环氧板的间隔，实现上下壳体的结构连接，以达到较高的防护强度和气闭密封，并为主电极引出提供支撑。

　　3 主要技术参数及应用

　　大功率高频开关器件(IGBT、功率MOSFET、IGCT等)已广泛用于VVVF、UPS、SMPS、逆变焊机、伺服电机传动放大器等具有直流环的逆变装置内。图3和4分别示出了VVVF变频器和高频逆变焊机的电原理图。

目前，图中的VD1～VD6均