在高温超导滤波器后级的低温低噪声放大器的设计和调试方法
构，一个电容后端接了一段开路微带线，根据微带线理论，此支路等效阻抗Z1由（3）式决定： 其中，β由微带线宽高比W/h和介质介电常数决定，通过改变微带线宽W可以改变参数β。于是我们可以通过调节微带线的L与W来微调接入阻抗Z的值。这样的结构相当于一个连续可调的电容C’。增加这样一个可调微带电容结构以后，支路电容值可以通过切割或者粘贴微带线连续可调，给低温调试带来极大的便利。类似的，如果使用一段末端接地的短微带线作为支路，则相当于一个可调电感，同样可以用来调试放大器电路。 图4 Smith圆图和可调微带电容 图5 低温低噪声放大器性能 3 结论 本文介绍了低温下低噪声放大器的设计调试方法。总结了综合考虑功率匹配，驻波匹配和噪声匹配的设计思路。针对低温下放大器性能和常温相比有很大改变的情况，提出了利用Smith圆图和微带可调电容结构的调试方法，并成功研制出工作在高温超导滤波器系统中频率范围为1.9G-2GHz的低温低噪声放大器，其各项指标均达到要求，该方法对于L波段均适用。 本文作者创新点: 
上述调试方法适用于L波段，对于更高的微波频段，电路分布效应进一步增加，需要更精确的调试方法。最后，经过调试的低温低噪声放大器在70K温度下1.9GHz-2GHz通带内满足增益大于18，输入输出反射损耗小于-20dB，噪声低于0.5dB，满足性能要求并且和超导滤波器匹配良好（图5）。 
1． 介绍工作在超低温(70K)下的超导滤波器系统中低噪声放大器的研制方法。
2． 利用Smith圆图和可调微带电容进行低温下调试
3． 并研制出了高性能的1.9GHz-2GHz频段的低温低噪声放大器。
参考文献:
[1] Klauda. M, Kasser. T, Mayer. B."Superconductors and Cryogenics for Future Communication Systems"IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2000;48(7):1228.
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[4] 王昌林，李东生，张勇. "一种射频CMOS低噪声放大器的设计". 微计算机信息，2006.12:117-119
作者简介：
蔡康康 男，1983年11月生于浙江，2004年毕业于清华大学电子工程系并获清华大学学士学位。现为清华大学物理系硕士研究生，研究方向主要为超导系统中低噪声放大器设计。
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曹必松（1946- ),男,清华大学物理系博导,研究方向：超导物理的基础研究，超导电子学应用研究。